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1. (WO2006022133) APPAREIL DE PLACAGE AUTO-CATALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/022133    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/014445
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 05.08.2005
CIB :
C23C 18/31 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
HARA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JOMEN, Miho [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HARA, Kenichi; (JP).
JOMEN, Miho; (US)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-242905 23.08.2004 JP
Titre (EN) ELECTROLESS PLATING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PLACAGE AUTO-CATALYTIQUE
(JA) 無電解めっき装置
Abrégé : front page image
(EN)An upper temperature controller providing a circulation chamber for temperature control fluid is disposed opposite a surface of substrate held on a substrate holding part. In the upper temperature controller, a supply channel for electroless plating solution is drawn round so as to effect heat exchange between the temperature control fluid and the electroless plating solution. The electroless plating solution is discharged from a bottom side of the upper temperature controller so as to fill the interstice between the upper temperature controller and the substrate. Further, a lower temperature controller is disposed on a back side of the substrate, and a temperature control fluid is circulated therein. In the lower temperature controller, heat exchange with a fluid for back side, for example, pure water is carried out. Thus, the temperature control of pure water is accomplished, and the interstice between the back side of the substrate and the lower temperature controller is filled with the pure water. Consequently, in parts of the process for producing a semiconductor device, for example, electroless plating treatment conducted on a surface of wiring material embedded in an interlayer insulating film, it becomes feasible to form an electroless plating film at intended film thickness with high in-plane homogeneity and inter-plane homogeneity.
(FR)L’invention porte sur un régulateur de température supérieure comportant une chambre de circulation de fluide de régulation de température opposée à une surface d’un substrat maintenu sur une pièce de maintien de substrat. Dans le régulateur de température supérieure, un canal d’alimentation pour la solution de placage auto-catalytique est installé pour assurer l’échange thermique entre le fluide de régulation de température et la solution de placage auto-catalytique. La solution de placage auto-catalytique est déchargée d’un côté inférieur du régulateur de température supérieure de façon à remplir l’interstice entre le régulateur de température supérieure et le substrat. De plus, un régulateur de température inférieure est disposé au dos du substrat, et un fluide de régulation de température est mis en circulation dans celui-ci. Dans le régulateur de température inférieure, l’échange thermique avec un fluide pour la partie dos, par exemple, de l’eau pure est réalisé. Ainsi, on peut réguler la température de l’eau pure et l’interstice entre le dos du substrat et le régulateur de température inférieure est rempli d’eau pure. En conséquence, dans les parties du procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur, par exemple, le traitement de placage auto-catalytique se déroulant sur une surface de matériau de câblage incrustée dans un film isolant intercouche, il devient possible de constituer un film de placage auto-catalytique à l’épaisseur voulue du film avec une homogénéité élevée dans le plan et entre les plans.
(JA) 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。したがって、半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)