WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006021568) PROCÉDÉ EN LIGNE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/021568    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/054157
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 24.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.06.2006    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : OTB GROEP B.V. [NL/NL]; Luchthavenweg 10, NL-5657 EB Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
KOK, Ronaldus Joannes Cornelis Maria [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
EVERS, Marinus Franciscus Johannes [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DINGS, Franciscus Cornelis [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : KOK, Ronaldus Joannes Cornelis Maria; (NL).
EVERS, Marinus Franciscus Johannes; (NL).
DINGS, Franciscus Cornelis; (NL)
Mandataire : CLARKSON, Paul Magnus; Howrey LLP, P.O. Box 94361, NL-1090 GJ Amsterdam (NL)
Données relatives à la priorité :
10/923,792 24.08.2004 US
05101618.6 02.03.2005 EP
Titre (EN) IN-LINE PROCESS FOR MAKING THIN FILM ELECTRONIC DEVICES
(FR) PROCÉDÉ EN LIGNE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES À FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)An in-line process for making a thin film electronic device on a substrate is described comprising the steps of: a) depositing a structurable layer onto a substrate; b) depositing a patternable material onto the structurable layer in a first pattern; and c) etching the structurable layer in areas uncovered by the patternable material. The steps are carried out without intermediate exposure of the substrate to ambient air.
(FR)L’invention porte sur un procédé en ligne de fabrication d’un dispositif électronique à film mince sur un substrat, comprenant les phases suivantes : a) déposition d’une couche structurable sur un substrat ; b) déposition d’un matériau de formation de motifs sur la couche structurable selon un premier motif ; et c) attaque chimique de la couche structurable dans des zones découvertes par le matériau de formation de motifs. Les phases se déroulent sans exposition intermédiaire du substrat à l’air ambiant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)