Commentaires
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2006009668 - PROCEDE ET COMPOSITION DE GRAVURE CHIMIQUE POUR TRANCHES DE SILICIUM

Lien permanent
Numéro de publication WO/2006/009668
Date de publication 26.01.2006
N° de la demande internationale PCT/US2005/020809
Date du dépôt international 14.06.2005
CIB
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
C09K 13/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
02containing an alkali metal hydroxide
C11D 11/0047
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
C11D 7/265
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
22Organic compounds
26containing oxygen
265Carboxylic acids; Salts thereof
C11D 7/3245
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
22Organic compounds
32containing nitrogen
3245Aminoacids
H01L 21/02019
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02019Chemical etching
H01L 21/30608
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30604Chemical etching
30608Anisotropic liquid etching
Déposants
  • MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • STINSON, Mark, G. [US]/[US] (UsOnly)
  • ERK, Henry, F. [US]/[US] (UsOnly)
  • ZHANG, Guoqiang (David) [US]/[US] (UsOnly)
  • BJELOPAVLIC, Mick [AU]/[US] (UsOnly)
  • GRABBE, Alexis [US]/[US] (UsOnly)
  • VERMEIRE, Jozef, G. [BE]/[IT] (UsOnly)
  • SCHMIDT, Judith, A. [US]/[US] (UsOnly)
  • DOANE, Thomas, E. [US]/[US] (UsOnly)
  • CAPSTICK, James, R. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • STINSON, Mark, G.
  • ERK, Henry, F.
  • ZHANG, Guoqiang (David)
  • BJELOPAVLIC, Mick
  • GRABBE, Alexis
  • VERMEIRE, Jozef, G.
  • SCHMIDT, Judith, A.
  • DOANE, Thomas, E.
  • CAPSTICK, James, R.
Mandataires
  • HEJLEK, Edward, J.
Données relatives à la priorité
60/580,22416.06.2004US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SILICON WAFER ETCHING PROCESS AND COMPOSITION
(FR) PROCEDE ET COMPOSITION DE GRAVURE CHIMIQUE POUR TRANCHES DE SILICIUM
front page image
Abrégé
(EN)
A process for etching silicon wafers using a caustic etchant in the form of an aqueous solution comprising water, a hydroxide ion source, and a chelating agent. The process produces silicon wafers substantially free from diffused metal ions.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure chimique de tranches de silicium à l'aide d'un agent d'attaque chimique caustique sous forme de solution aqueuse comprenant de l'eau, une source ionique d'hydroxyde et un agent de chélation. Ledit procédé permet de produire des tranches de silicium sensiblement exemptes d'ions métalliques diffusés.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
# -