Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2006006630 - DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE

Note: Texte fondé sur des processus automatiques de reconnaissance optique de caractères. Seule la version PDF a une valeur juridique

[ JA ]

請求の範囲

[1] 基板の上面側に反強磁性層を形成する工程と、

前記反強磁性層の上に第 1固定強磁性層を形成する工程と、

前記第 1固定強磁性層を 5 X 10_7Pa以上 1 X 10_4Pa以下の圧力で酸素原子を含 む気体に暴露を行う工程と、

前記第 1固定強磁性層の上に第 2固定強磁性層を形成する工程と、

前記第 2固定強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、

前記トンネルバリア層の上に自由強磁性層を形成する工程と

を具備する

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[2] 請求項 1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお!、て、

前記第 2固定強磁性層の膜厚は、 0より大きく lnm以下である

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[3] 基板の上面側に反強磁性層を形成する工程と、

前記反強磁性層の上に第 1固定強磁性層を形成する工程と、

前記第 1固定強磁性層を 5 X 10_7Pa以上 1 X 10_4Pa未満の圧力で酸素原子を含 む気体に暴露を行う工程と、

前記第 1固定強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、

前記トンネルバリア層の上に自由強磁性層を形成する工程と

を具備する

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[4] 基板の上面側に反強磁性層を形成する工程と、

前記反強磁性層の上に固定強磁性層を形成する工程と、

前記固定強磁性層の上にトンネルバリア層を含む膜を形成する工程と、 前記トンネルバリア層の上に自由強磁性層を形成する工程と

を具備し、

前記トンネルバリア層を含む膜は、前記固定強磁性層との界面における前記トンネ ルバリア層の平均表面粗さより前記自由強磁性層との界面における前記トンネルバリ ァ層の平均表面粗さが小さくなるように形成される

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[5] 請求項 4に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお、て、

トンネルバリア層を含む膜を形成する工程は、

前記固定強磁性層を所定の雰囲気に暴露する工程と、

前記暴露する工程の後、前記トンネルバリア層を形成する工程と

を具備する磁気抵抗効果素子の製造方法。

[6] 請求項 4に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお、て、

トンネルバリア層を含む膜を形成する工程は、

前記固定強磁性層を所定の雰囲気に暴露する工程と、

前記暴露する工程の後、前記固定強磁性層の上に付加的強磁性層を形成するェ 程と、

前記付加的強磁性層の上に前記トンネルバリア層を形成する工程と

を具備する磁気抵抗効果素子の製造方法。

[7] 請求項 6に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお、て、

前記第 2固定強磁性層の膜厚は、 0より大きく lnm以下である

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[8] 請求項 5乃至 7に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法において、

前記固定強磁性層を所定の雰囲気に暴露する工程は、

前記固定強磁性層を、 5 X 10_7Pa以上 1 X 10_4Pa未満の圧力で酸素原子を含 む気体に暴露を行う工程

を具備する磁気抵抗効果素子の製造方法。

[9] 請求項 1から 3と 8の、ずれか一項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお!、 て、

前記第 1固定強磁性層を前記酸素原子を含む気体に暴露を行う工程は、 1 X 10_6Pa以上 1 X 10_5Pa以下の圧力で酸素原子を含む気体に暴露を行う 磁気抵抗効果素子の製造方法。

[10] 請求項 1から 3、 8, 9のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法にお いて、

前記酸素原子を含む気体は、酸素ガス、水、メタノール及びエタノールガスのうちの 少なくとも一つを含む気体である

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[11] 請求項 1乃至 10のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法におい て、

前記第 1固定強磁性層力 CoFe、 NiFe、 CoFeB、 CoFeCrのうちの一つを含む 膜を備える

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[12] 請求項 1乃至 11のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法におい て、

前記トンネルバリア層の前記第 1固定強磁性層側の表面粗さが、前記第 1固定強 磁性層より下層の表面粗さより小さい

磁気抵抗効果素子の製造方法。

[13] 基板の上面側に形成された反強磁性層と、

前記反強磁性層の上に形成された第 1固定強磁性層と、

前記第 1固定強磁性層の上に形成された第 2固定強磁性層と、

前記第 2固定強磁性層の上に形成されたトンネルバリア層と、

前記トンネルバリア層の上に形成された自由強磁性層と

を具備し、

前記第 1固定強磁性層の前記第 2固定強磁性層側の表面の領域は、他の領域に 比較して酸素濃度が高ぐ

前記トンネルバリア層側の前記第 1固定強磁性層の表面粗さが、前記第 1固定強 磁性層より下層の表面粗さより小さい

磁気抵抗効果素子。

[14] 請求項 13に記載の磁気抵抗効果素子にお、て、

前記第 2固定強磁性層の膜厚は、 0より大きく lnm以下である

磁気抵抗効果素子。

[15] 基板の上面側に形成された反強磁性層と、

前記反強磁性層の上に形成された第 1固定強磁性層と、

前記第 1固定強磁性層の上に形成されたトンネルバリア層と、

前記トンネルバリア層の上に形成された自由強磁性層と

を具備し、

前記トンネルバリア層側の前記第 1固定強磁性層の表面粗さが、前記第 1固定強 磁性層より下層の表面粗さより小さい

磁気抵抗効果素子。

[16] 請求項 13乃至 15のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果素子において、

前記第 1固定強磁性層力 CoFe、 NiFe、 CoFeB、 CoFeCrのうちの一つを含む 膜を備える

磁気抵抗効果素子。

[17] 第 1方向へ延伸する複数のワード線と、

第 1方向と実質的に垂直な第 2方向へ伸びる複数のビット線と、

前記複数のワード線と前記複数のビット線との交点の各々に設けられ、請求項 13 乃至 16のいずれか一項に記載の複数の磁気抵抗効果素子と

を具備する磁気ランダムアクセスメモリ。