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1. WO2006003083 - CIRCUIT DE TENSION PROPORTIONNEL A LA TEMPERATURE ABSOLUE

Numéro de publication WO/2006/003083
Date de publication 12.01.2006
N° de la demande internationale PCT/EP2005/052737
Date du dépôt international 14.06.2005
CIB
G05F 3/30 2006.01
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
FSYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02Régulation de la tension ou du courant
08là où la tension ou le courant sont continus
10utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20en utilisant des combinaisons diode-transistor
30Régulateurs utilisant la différence entre les tensions base-émetteur de deux transistors bipolaires fonctionnant à des densités de courant différentes
CPC
G05F 3/262
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
26Current mirrors
262using field-effect transistors only
G05F 3/30
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
Déposants
  • ANALOG DEVICES INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • MARINCA, Stefan [RO]/[IE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MARINCA, Stefan
Mandataires
  • MOORE, Barry
Données relatives à la priorité
10/881,30030.06.2004US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A PROPORTIONAL TO ABSOLUTE TEMPERATURE VOLTAGE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE TENSION PROPORTIONNEL A LA TEMPERATURE ABSOLUE
Abrégé
(EN)
A voltage circuit including a first amplifier having first and second inputs and having an output driving a current mirror circuit is provided. Outputs from the current mirror circuit drive first and second transistors which are coupled to the first and second input of the amplifier respectively. The base of the first transistor is coupled to the second input of the amplifier and the collector of the 10 first transistor is coupled to the first input of the amplifier such that the amplifier keeps the base and collector of the first transistor at the same potential. The first and second transistors are adapted to operate at different current densities such that a difference in base emitter voltages between the first and second transistors may be generated across a resistive load coupled to the second 15 transistor, the difference in base emitter voltages being a PTAT voltage.
(FR)
L'invention concerne un circuit de tension comprenant un premier amplificateur possédant des première et seconde entrées et une sortie entraînant un circuit de miroir de courant. Les sorties du circuit de miroir de courant entraînent des premier et second transistors couplés aux première et seconde entrées de l'amplificateur respectivement. La base du premier transistor est couplée à la seconde entrée de l'amplificateur et le collecteur du premier transistor est couplé à la première entrée de l'amplificateur, de manière que celui-ci conserve la base et le collecteur du premier transistor au même potentiel. Les premier et second transistors sont conçus de manière à fonctionner à des densités de courant différentes, de manière qu'une différence dans des tensions émetteur de base entre les premier et second transistors puissent être générée dans une charge résistive couplée au second transistor, la différence dans les tensions émetteur de base étant une tension PTAT.
Également publié en tant que
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