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1. WO2006003062 - DISPOSITIF PERMETTANT LA STABILISATION PASSIVE DE TENSIONS D'ALIMENTATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2006/003062
Date de publication 12.01.2006
N° de la demande internationale PCT/EP2005/052472
Date du dépôt international 31.05.2005
CIB
H01L 27/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/11807
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
118Masterslice integrated circuits
11803using field effect technology
11807CMOS gate arrays
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • MAROLT, Vinko [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STEPHAN, Ralf-Eckhard [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MAROLT, Vinko
  • STEPHAN, Ralf-Eckhard
Représentant commun
  • ROBERT BOSCH GMBH
Données relatives à la priorité
102004032708.407.07.2004DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VORRICHTUNG FÜR EINE PASSIVE STABILISIERUNG VON VERSORGUNGSSPANNUNGEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) DEVICE FOR PASSIVE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR-ELEMENT SUPPLY VOLTAGES
(FR) DISPOSITIF PERMETTANT LA STABILISATION PASSIVE DE TENSIONS D'ALIMENTATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung für eine passive Stabilisierung von Versorgungsspannungen in einem Halbleiterbauelement. Innerhalb der lateralen Bereiche 11, welche für die Verdrahtungen von Standardzellen 10 von Bauelementen verwendet werde, werden in eine erste Schicht 3 aus einem ersten Leitfähigkeitstyp n Bereiche 53, 54 aus einem zweiten Leitfähigkeitstyp p eingebracht. Dabei bilden sich an den Grenzflächen Sperrschichten aus, deren Kapazitäten zum Stützen der Versorgungsspannungen VDD, Gnd genutzt werden. Dazu werden Bereiche 53, 54 des zweiten Leitfähigkeitstyp p entweder mit einem Substrat 1 des selben Leitfähigkeitstyps p verbunden oder mit Wannen 36 innerhalb der Standardzellen 10 verbunden, welche den zweiten Leitfähigkeitstyp n aufweisen.
(EN)
The invention relates to a device for passive stabilization of supply voltages in a semiconductor element. Areas (53,54) having a second type of conductivity (p) are created in a first layer (3) having a first type of conductivity (n) inside side areas (11) which are used for the wiring of standard cells (10) of structural components. Barrier layers are thus formed on the defining surfaces, the capacities thereof being used to support the supply voltages (VDD, Gnd). Areas (53, 54) having a second type of conductivity(p) are connected to a substrate (1) having the same type of conductivity (p) or to troughs (36) inside the standard cells (10), having a first type of conductivity (n).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif permettant la stabilisation passive de tensions d'alimentation d'un composant à semi-conducteur. Selon l'invention, dans les zones latérales (11) qui sont utilisées pour les câblages de cellules standard (110) de composants, des zones (53, 54) d'un second type de conductivité p, sont insérées dans une première couche (3) d'un premier type de conductivité n. Ainsi, au niveau des surfaces limites se forment des couches barrières dont les capacités sont utilisées pour entretenir les tensions d'alimentation (VDD, Gnd). De plus, des zones (53, 54) du second type de conductivité p, sont soit reliées à un substrat (1) du même type de conductivité p, soit reliées à des puits (36) à l'intérieur de cellules standard (10) qui ont le premier type de conductivité n.
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