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1. (WO2005091623) STRUCTURE DE DISPOSITIF A TRANSFERT DE CHARGE TOLERANTE AU RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091623    N° de la demande internationale :    PCT/GB2005/001005
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 16.03.2005
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01)
Déposants : E2V TECHNOLOGIES (UK) LIMITED [GB/GB]; Waterhouse Lane, Chelmsford, Essex CM1 2QU (GB) (Tous Sauf US).
POOL, Peter, James [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : POOL, Peter, James; (GB)
Mandataire : REDDIE & GROSE; 16 Theobalds Road, London WC1X 8PL (GB)
Données relatives à la priorité :
0406120.6 18.03.2004 GB
Titre (EN) RADIATION TOLERANT CCD STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF A TRANSFERT DE CHARGE TOLERANTE AU RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A CCD structure (20) tolerant to the adverse formation of traps resulting from exposure to irradiation by particles such as protons and neutrons is described. The CCD comprises an image plane (22) having a number of parallel transfer channels. Path defining structures (24), such as barrier implants, define a principal electron flow path through the channel, and define a number of secondary paths which converge on the principal path. The paths ensure that signal. charge generated across the entire width of the channel is collected together into regions of smaller area so that the likelihood of interaction with traps is reduced, and charge containment is maintained near the optimum for all signal levels up to the full well.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure de dispositif à transfert de charge (DTC) (20) tolérante à la formation indésirable de pièges causée par l'exposition à une irradiation par des particules telles que des protons et des neutrons. Le DTC selon l'invention possède un plan d'image (22) comportant un certain nombre de canaux de transfert parallèles. Des structures définissant une voie (24), telles que des implants barrières, définissent une voie de flux électronique principale à travers le canal, et définissent un certain nombre de voies secondaires qui convergent sur la voie principale. Les voies permettent à la charge du signal générée sur toute la largeur de la voie d'être rassemblée en des zones de taille moins importante, de façon que la probabilité d'interaction avec les pièges soit réduite, et que le confinement de charge soit maintenu à une valeur proche de sa valeur optimale pour tous les niveaux de signal jusqu'à ce que le puits soit plein.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)