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1. (WO2005091369) CELLULES DE MEMOIRE REMANENTE AUTO-ALIGNEES ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091369    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/007891
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 09.03.2005
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
LUTZE, Jeffrey W. [US/US]; (US) (US Seulement).
PHAM, Tuan [US/US]; (US) (US Seulement).
HIGASHITANI, Masaaki [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUTZE, Jeffrey W.; (US).
PHAM, Tuan; (US).
HIGASHITANI, Masaaki; (US)
Mandataire : PARSONS, Gerald, P.; Parsons Hsue & de Runtz LLP, 595 Market Street, Suite 1900, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
10/799,060 12.03.2004 US
Titre (EN) SELF ALIGNED NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND PROCESSES FOR FABRICATION
(FR) CELLULES DE MEMOIRE REMANENTE AUTO-ALIGNEES ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory array has word lines coupled to floating gates, the floating gates having an upper portion that is adapted to provide increased surface area, and thereby, to provide increased coupling to the word lines. Shielding between floating gates is also provided. A first process forms floating gates by etching an upper portion of a polysilicon structure with masking elements in place to shape the floating gate. A second process etches recesses and protrusions in a polysilicon structure prior to etching the structure to form individual floating gates.
(FR)Ensemble mémoire rémanente possédant des lignes de mots couplées à des grilles flottantes dont une partie supérieure est conçue pour produire une augmentation de surface et, de ce fait, une augmentation de couplage aux lignes de mots. L'invention concerne également le blindage entre les grilles flottantes. Un premier procédé d'élaboration de ces grilles flottantes consiste à effectuer l'attaque chimique d'une partie supérieure d'une structure de polysilicium, tout en mettant en application des éléments de masquage afin de mettre en forme la grille flottante. Un deuxième procédé consiste à graver des évidements et des saillies dans une structure de polysicilium préalablement à la gravure de ladite structure afin de créer des grilles flottantes individuelles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)