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1. (WO2005091353) BOITIER POUR SEMI-CONDUCTEUR SANS PLOMB ET PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091353    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/000496
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 26.02.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.11.2005    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-martin-str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
YIP, Tian, Siang [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
LOW, Min, Wee [SG/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : YIP, Tian, Siang; (SG).
LOW, Min, Wee; (SG)
Mandataire : SCHWEIGER, Martin; C/o Kanzlei Schweiger & Partner, Karl-theodor-str. 69, 80803 München (DE).
SCHÄFER, Horst; c/o Schweiger & Partner, Karl-Theodor-Str. 69, 80803 München (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A NON-LEADED SEMICONDUCTOR PACKAGE AND A METHOD TO ASSEMBLE THE SAME
(FR) BOITIER POUR SEMI-CONDUCTEUR SANS PLOMB ET PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)A method to assemble a non-leaded semiconductor package (1) comprises the following steps. A carrier tape (13) is attached to a metal foil (12). A plurality of leadframes (3) is formed in the metal foil (12), each leadframe (3) comprising a die pad (4) laterally surrounded by a plurality of contact leads (5). A semiconductor die (2), including an active surface with a plurality of die contact pads (7), is attached to each die attach pad (4) and electrically connected to the leadframe (3) by a plurality of bond wires (9) connecting the die contact pads (7) and the lead contact areas (6) of the contact leads (5). A plurality of leadframes (3), each including a wire bonded semiconductor die, are encapsulated with mold material (10). The carrier tape (13) is removed and the non-leaded semiconductor packages (1) separated.
(FR)Un procédé d'assemblage d'un boîtier pour semi-conducteur sans plomb (1) se déroule de la manière suivante: une bande formant support (13) est fixée sur une feuille métallique (12); plusieurs châssis de brochage (3) sont formés dans la feuille métallique (12), chaque châssis de brochage (3) comportant un substrat (4) de dé entouré latéralement par une pluralité de fils de contact (5). Un dé (2) de semi-conducteur, comprenant une surface active pourvue d'une pluralité de plages (7) de contact de dé, est fixé sur chaque substrat (4) de fixation de dé et électriquement relié au châssis de brochage (3) par une pluralité de fils de connexion (9) reliant les plages (7) de contact de dé et les zones de contact (6) des fils de contact (5). Plusieurs châssis de brochage (3) comprenant chacun un dé de semi-conducteur relié par fil, sont encapsulés avec une matière de moulage (10). La bande formant support (13) est enlevée puis les boîtiers (1) de semi-conducteur sans plomb sont séparés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)