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1. (WO2005091351) SUPPORT POUR DISPOSITIF de COLLAGE ET MÉTHODE POUR SA FABRICATION.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091351    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/005364
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 24.03.2005
CIB :
H01L 21/52 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOYAMA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOKOYAMA, Hiroki; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-086895 24.03.2004 JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR DEVICE BONDING AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUPPORT POUR DISPOSITIF de COLLAGE ET MÉTHODE POUR SA FABRICATION.
(JA) 素子接合用基板およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a substrate for device bonding which enables to bond a device with high bonding strength to an Au electrode which is formed on the substrate composed of an aluminum nitride or the like by soldering at a low temperature using a soft solder metal having a low melting point such as an Au-Sn solder with an Au content of 10 weight%. The substrate for device bonding is characterized in that (i) a layer composed of a platinum group element, (ii) a layer composed of at least one transition metal element selected from the group consisting of Ti, V, Cr and Co, (iii) a barrier metal layer composed of at least one metal selected from the group consisting of Ag, Cu and Ni, and (iv) a solder layer composed of a solder mainly containing Sn or In are sequentially formed in this order on an Au electrode layer which is formed over the surface of the substrate for device bonding.
(FR)Ci exposé est un support pour dispositif de soudure qui permet de souder un dispositif à forte puissance de soudure à une électrode Au qui est formé sur le support composé d’une nitrure d’aluminium ou similaire en soudant à base température et en utilisant un métal ayant un bas point de fusion telle qu’une soudure Au-Sn avec une teneur de 10% du poids. Le support pour dispositif de collage est caractérisé par le fait qu’il comprend : (i) une couche composée d’un ensemble d’éléments en platine, (ii) d’une couche composée d’au moins d’un élément de transition en métal sélectionné du groupe d’éléments composé de Ti, V, Cr, et CO, (iii) d’une couche de barrière en métal composée d’au moins un métal sélectionné du groupe composé de AG, Cu et de Ni, et (iv) une couche de soudure faite d’une soudure contenant principalement Sn ou In qui sont formés l’un après l’autre dans cet ordre sur une couche d’électrode Au qui est constituée sur le côté de la surface du dispositif de soudure. ­­­­­
(JA) 本発明の目的は、窒化アルミニウム等の基板上に形成されたAu電極に、Au含有量10重量%のAu−Sn系ハンダのような低融点で柔らかいハンダ金属を用いて低温でハンダ付けを行ない、高接合強度で素子を接合することが可能な素子接合用基板を提供することにある。  本発明に係る素子接合用基板は、表面にAu電極層が形成されてなる基板の該Au電極層上に(i)白金族元素からなる層、(ii)Ti、V、Cr及びCoからなる群より選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素からなる層、(iii)Ag、Cu、及びNiよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属からなるバリヤー金属層並びに(iv)Sn又はInを主成分として含有するハンダからなるハンダ層がこの順番で積層されてなることを特徴としている。                                                                                 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)