WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005091342) INSPECTION IN SITU D'UN IMPLANTEUR IONIQUE SUR UN DISQUE TOURNANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091342    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/009194
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 18.03.2005
CIB :
G01N 21/94 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915 (US) (Tous Sauf US).
PEREL, Alexander [US/US]; (US) (US Seulement).
LOIZIDES, William [US/US]; (US) (US Seulement).
STONE, Lyudmila [US/US]; (US) (US Seulement).
BENVENISTE, Victor [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PEREL, Alexander; (US).
LOIZIDES, William; (US).
STONE, Lyudmila; (US).
BENVENISTE, Victor; (US)
Données relatives à la priorité :
10/803,439 18.03.2004 US
Titre (EN) IN-SITU MONITORING ON A SPINNING-DISK ION IMPLANTER
(FR) INSPECTION IN SITU D'UN IMPLANTEUR IONIQUE SUR UN DISQUE TOURNANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to in-situ detection of particles and other such features in an ion implantation system (300) during implantation operations to avoid such additional monitoring tool steps otherwise expended before and/or after implantation, for example. One or more such systems are revealed for detecting scattered light from particles on one or more semiconductor wafers illuminated by a light source (e.g., laser beam). The system comprises an ion implanter (302) having a laser (322) for illumination of a spot on the wafer (308) and a pair of detectors (360) (e.g., PMT or photodiode) rotationally opposite from the ion implantation operations. A wafer transport holds a wafer or wafers for translational scanning under the fixed laser spot. A computer analyzes the intensity of the scattered light (326) detected from the illuminated wafer (workpiece) (308), and may also map the light detected to a unique the present invention is directed to in-situ detection of particles and other such features in an ion implantation system during implantation operations to avoid such additional monitoring tool steps otherwise expended before and/or after implantation, for example. One or more such sysetms are revealed for detecting scattered light from particles on one or more semiconductor wafers illuminated by a light source (e, g., laser beam).The system comprises an ion implanter having a laser for illumination of a spot on the wafer and a pair of detectors (e, g., PMT or photodiode ) rotationally opposite from the ion implantation operations. A wafer transport holds a wafer or wafers for tanslational scanning under fixed laser spot. A computer analyzes the intensity of the scattered light detected from the illuminated wafer (workpiece), and may also map the light detected to a unique position. For example, particles or other such contaminates may be identified on wafers during the implantation process before additional time and resources are consumed, and aid in determining the sources of such contaminates. Further, threshold analysis of the quantity or size of such particles, for example, may provide a system interlock for shutdown or feedback control.
(FR)L'invention concerne la détection in situ de particules et d'autres caractéristiques dans un système d'implantation ionique au cours des opérations d'implantation, qui permet de se dispenser des opérations qui font intervenir des outils d'inspection avant et/ou après l'implantation, par exemple. Un ou plusieurs de ces systèmes servent à détecter la lumière diffusée par les particules présentes sur une ou plusieurs tranches de semi-conducteur éclairées par une source lumineuse (par ex. un faisceau laser). Le système comprend un implanteur ionique doté d'un laser qui permet d'éclairer un point sur la plaquette ainsi qu'une paire de détecteurs (par ex. PMT ou photodiode) opposée rotativement aux opérations d'implantation ionique. Un organe de transfert de tranche maintient une ou plusieurs tranches, en vue d'un balayage de translation, sous le point laser fixe. Un ordinateur analyse l'intensité de la lumière diffusée détectée sur la tranche éclairée (pièce); il peut en outre mettre en correspondance la lumière détectée avec une position unique. Par exemple, des particules ou d'autres contaminants peuvent être identifiés sur des tranches au cours du processus d'implantation avant la fin du temps et des ressources supplémentaires, ce qui facilite l'identification des sources de ces contaminants. Par ailleurs, l'analyse de seuil de la quantité ou de la taille de ces particules, par exemple, peut fournir une sécurité de système pour la commande de l'arrêt ou de l'asservissement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)