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1. (WO2005091338) POLYSILICIUM DOUBLEMENT DOPE ET GRAVURE DE SILICIUM GERMANIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091338    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/007750
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 08.03.2005
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
KOEMTZOPOULOS, C., Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
ADAMS, Yoko, Yamaguchi [JP/US]; (US) (US Seulement).
MIYAMOTO, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAYLOR, Yousun, Kim [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOEMTZOPOULOS, C., Robert; (US).
ADAMS, Yoko, Yamaguchi; (US).
MIYAMOTO, Yoshinori; (JP).
TAYLOR, Yousun, Kim; (US)
Mandataire : LEE, Michael, B.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
10/803,342 17.03.2004 US
Titre (EN) DUAL DOPED POLYSILICON AND SILICON GERMANIUM ETCH
(FR) POLYSILICIUM DOUBLEMENT DOPE ET GRAVURE DE SILICIUM GERMANIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching a stack with at least one silicon germanium layer over a substrate in a processing chamber is provided. A silicon germanium etch is provided. An etchant gas is provided into the processing chamber, wherein the etchant gas comprises HBr, an inert diluent, and at least one of O2 and N2. The substrate is cooled to a temperature below 40° C. The etching gas is transformed to a plasma to etch the silicon germanium layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'une pile présentant au moins une couche de silicium germanium disposée sur un substrat, dans une chambre de traitement. On décrit un processus de gravure de silicium germanium. Un gaz d'attaque chimique, placé dans la chambre de traitement, comprend HBr, un diluant inerte, et au moins O2 ou N2. Le substrat est refroidi à une température inférieure à 40° C. Le gaz d'attaque est transformé en plasma pour graver la couche de silicium germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)