WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005091301) MEMOIRE FERROELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091301    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/004118
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 24.03.2004
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Hideaki; (JP)
Mandataire : FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg. 9th Floor 19-5, Nishishinjuku 1-Chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FERROELECTRIC MEMORY
(FR) MEMOIRE FERROELECTRIQUE
(JA) 強誘電体メモリ
Abrégé : front page image
(EN)In order to charge a pair of ferroelectric capacitors FC1 and FC2 constituting a memory cell MC in read operation, a voltage setting circuit PRE sets the difference between voltages across the ferroelectric capacitors FC1 and FC2 lower than a coersive voltage. A differential sense amplifier SA amplifies the voltage difference between bit lines BL and BLX being produced depending on the difference of charging amount between the ferroelectric capacitors FC1 and FC2. Since the difference between voltages across the ferroelectric capacitors FC1 and FC2 is lower than the coersive voltage, inversion of polarization vector of the ferroelectric capacitors FC1 and FC2 is prevented. Consequently, it is possible to prevent deterioration of a ferroelectric material due to read operation and eliminate restriction on the number of reading times of a ferroelectric memory.
(FR)Dans le but de charger une paire de condensateurs ferroélectriques FC1 et FC2 constituant une cellule de mémoire MC lors d’une opération de lecture, un circuit de fixation de tension PRE fixe la différence entre les tensions aux bornes des condensateurs ferroélectriques FC1 et FC2 pour qu’elle soit inférieure à une tension coercitive. Un amplificateur de lecture différentiel SA amplifie la différence de tension entre des lignes de binaires BL et BLX formées en fonction de la différence de quantité de charge entre les condensateurs ferroélectriques FC1 et FC2. Comme la différence entre les tensions aux bornes des condensateurs ferroélectriques FC1 et FC2 est inférieure à la tension coercitive, l’inversion du vecteur de polarisation des condensateurs ferroélectriques FC1 et FC2 est empêchée. Il est donc possible d’empêcher la détérioration d’un corps ferroélectrique due à l’opération de lecture et d’éliminer toute restriction sur le nombre d’opérations de lecture d’une mémoire ferroélectrique.
(JA)電圧設定回路PREは、読み出し動作において、メモリセルMCを構成する一対の強誘電体キャパシタFC1、FC2を充電するために、強誘電体キャパシタFC1、FC2の両端間の電圧差を抗電圧より低く設定する。差動センスアンプSAは、強誘電体キャパシタFC1、FC2への充電量の差に応じて生じるビット線BL、BLXの電圧差を増幅する。充電中の強誘電体キャパシタFC1、FC2の両端間の電圧差は、抗電圧より低いため、強誘電体キャパシタFC1、FC2の分極ベクトルが反転することが防止される。この結果、読み出し動作により強誘電体材料が劣化することを防止でき、強誘電体メモリの読み出し回数の制限を無くすことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)