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1. (WO2005090931) MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE A TRANSMISSION REGLABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/090931    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/008905
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 17.03.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.01.2006    
CIB :
G01F 9/00 (2006.01), G03C 5/00 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : PHOTRONICS, INC. [US/US]; 15 Secor Road, P.O. Box 5226, Brookfield, CT 06804 (US) (Tous Sauf US).
XIAO, Guangming [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XIAO, Guangming; (US)
Mandataire : LO CICERO, Anthony, F.; Amster, Rothstein & Ebenstein LLP, 90 Park Avenue, New York, NY 10016 (US)
Données relatives à la priorité :
10/803,847 18.03.2004 US
Titre (EN) EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK WITH TUNABLE TRANSMISSION
(FR) MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE A TRANSMISSION REGLABLE
Abrégé : front page image
(EN)The attenuation and phase shift properties of an embedded attenuated phase shift mask (EAPSM) maybe independently selected. After or during plowing of regions of an embedded phase shift layer, exposed regions of a substrate are etched to a predetermined depth. Additional regions of the embedded phase sift layer are then exposed and trimmed to a predetermined thickness for providing the desired amount of attenuation, with the final etched depth of the substrate compensating for the change of relative phase shift caused by trimming of the phase shift layer. A matrix test device having a plurality of cells with different levels of attenuation and/or phase shift may then be fabricated on a single EAPSM blank.
(FR)Les propriétés d'atténuation et de déphasage d'un masque à décalage de phase atténué intégré (EAPSM) peuvent être sélectionnées indépendamment. Après ou durant le raclage de zones d'une couche de décalage de phase intégrée, des zones exposées d'un substrat sont gravées à une profondeur prédéterminée. Des zones supplémentaires de la couche de décalage de phase intégrée sont alors exposées et ébarbées à une épaisseur prédéterminée, permettant d'avoir la quantité désirée d'atténuation, la profondeur gravée finale du substrat compensant le changement de décalage de phase relatif causé par l'ébarbage de la couche de décalage de phase. Un dispositif d'essai de matrice ayant une pluralité de cellules à différents niveaux d'atténuation et/ou de décalage de phase peut alors être fabriqué sur une seule ébauche EAPSM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)