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1. (WO2005090650) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR POUR COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/090650    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/002224
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 15.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.06.2005    
CIB :
C30B 29/40 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058407 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Kenji; (JP).
HIRANO, Ryuichi; (JP).
NAKAMURA, Masashi; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Building, 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-079504 19.03.2004 JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR POUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体基板
Abrégé : front page image
(EN)A substrate for epitaxial growth capable of improving the surface state of an epitaxial layer on the level of micro-roughness. In the substrate for epitaxial growth, intensity of scattering light obtained when light from a specified light source comes onto the surface of the substrate is divided by the intensity of incident light from the light source and the quotient is defined as haze. The haze is set at 2 ppm or less over the entire effective available region of the substrate and the off angle is set in the range of 0.05-0.10 degrees.
(FR)Il est prévu un substrat pour croissance épitaxiale susceptible d’améliorer l’état de surface d’une couche épitaxiale au niveau de la microrugosité. Dans le substrat pour croissance épitaxiale, l’intensité de la lumière de dispersion obtenue lorsque la lumière provenant d’une source lumineuse spécifiée arrive à la surface du substrat, est divisée par l’intensité de la lumière incidente provenant de la source lumineuse et le quotient est défini comme voile. Le voile est réglé sur une valeur inférieure ou égale à 2 ppm sur toute la zone disponible efficace du substrat et l’angle de déport est dans la fourchette de 0,05 à 0,010 degré.
(JA) エピタキシャル層の表面状態をマイクロラフネスのレベルで改善できるエピタキシャル成長用基板を提供する。  エピタキシャル成長用基板において、基板表面に所定の光源から光を入射させたときに得られる散乱光の強度を前記光源からの入射光の強度で割った値をヘイズと定義したときに、ヘイズが基板の有効利用領域全域にわたって2ppm以下で、オフアングルが0.05~0.10°となるようにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)