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1. (WO2005089092) CROISSANCE DE COUCHES MINCES IN SITU PAR EVAPORATION REACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/089092    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/038372
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 16.11.2004
CIB :
H01C 1/00 (2006.01), C04B 35/58 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), H01L 39/24 (2006.01)
Déposants : SUPERCONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 460 Ward Drive, Suite F, Santa Barbara, CA 93111-2310 (US) (Tous Sauf US).
MOECKLY, Brian, Harold [US/US]; (US) (US Seulement).
RUBY, Ward, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOECKLY, Brian, Harold; (US).
RUBY, Ward, S.; (US)
Mandataire : MURPHY, David, B.; O'Melveny & Myers LLP, 17th Floor, 610 Newport Center Drive, Newport Beach, CA 92660-6429 (US)
Données relatives à la priorité :
10/726,232 01.12.2003 US
Titre (EN) GROWTH OF IN-SITU THIN FILMS BY REACTIVE EVAPORATION
(FR) CROISSANCE DE COUCHES MINCES IN SITU PAR EVAPORATION REACTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming MgB2 films in-situ on a substrate includes the steps of (a) depositing boron onto a surface of the substrate in a deposition zone; (b)moving the substrate into a reaction zone containing pressurized, gaseous magnesium; (c) moving the substrate back into the deposition zone; and (d) repeating steps (a)-(c). In a preferred embodiment of the invention, the substrate is moved into and out of the deposition zone and the reaction zone using a rotatable platen.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former des couches de MgB2 in situ sur un substrat, consistant : (a) à déposer du bore sur la surface du substrat, dans une zone de dépôt ; (b) à déplacer le substrat dans une zone de réaction contenant du magnésium gazeux pressurisé ; (c) à replacer le substrat dans la zone de dépôt ; et (d) à répéter les étapes (a)-(c). Dans un mode de réalisation de l'invention, le substrat est déplacé dans et hors de la zone de dépôt et de la zone de réaction à l'aide d'un plateau rotatif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)