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1. (WO2005088790) ÉLÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088790    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003511
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 02.03.2005
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : SANYO ElECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome, Moriguchi-Shi Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
Tottori Sanyo Electric CO., LTD [JP/JP]; 101, Tachikawa-cho 7-chome, Tottori-Shi Tottori 6808634 (JP) (Tous Sauf US).
UCHIDA, Yozo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASHIMA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAMOTO, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UCHIDA, Yozo; (JP).
NAKASHIMA, Kenji; (JP).
KAWAMOTO, Seiji; (JP)
Mandataire : INOUE, Atsushi; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-071971 15.03.2004 JP
2004-077691 18.03.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) ÉLÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体レーザ素子、およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductor laser element (LD1), a semiconductor laser layer is provided on one side of a semiconductor substrate (1), and to sandwich the semiconductor laser layer and the semiconductor substrate (1), a p-type electrode (8) is provided on the semiconductor laser layer side and an n-type electrode (11) is provided on a side of the semiconductor substrate (1). The p-type electrode (8) is composed of a first electrode (9) and a second electrode (10) covering the first electrode (9).
(FR)Dans un élément laser semi-conducteur (LD1), une couche laser semi-conducteur est fournie d'un côté d'un substrat semi-conducteur (1) et, pour enserrer la couche de laser semi-conducteur et le substrat de semi-conducteur (1), une électrode de type p (8) est fournie sur le côté de la couche de laser semi-conducteur ; une électrode de type n (11) est fournie sur un côté du substrat du semi-conducteur (1). L'électrode de type p (8) est composée d'une première électrode (9) et d'une deuxième électrode (10) couvrant la première électrode (9).
(JA) 半導体レーザ素子(LD1)では、半導体基板(1)上の一方の面に、半導体レーザ層を設けるとともに、この半導体レーザ層および半導体基板(1)を挟持するように、半導体レーザ層側にp型電極(8)を設ける一方、半導体基板(1)側にn型電極(11)を設けるようになっている。そして、p型電極(8)は、第1電極(9)と、この第1電極(9)を覆う第2電極(10)とから構成されるようにしている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)