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1. (WO2005088745) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTANTE ET SA MÉTHODE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088745    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004720
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 10.03.2005
CIB :
H01F 10/32 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (JP only).
YUASA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YUASA, Shinji; (JP)
Mandataire : HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F 3-20, Toranomon 4-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-071186 12.03.2004 JP
2004-313350 28.10.2004 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTANTE ET SA MÉTHODE DE PRODUCTION
(JA) 磁気抵抗素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A single crystal MgO(001) substrate (11) is prepared. An epitaxial Fe(001) lower electrode (first electrode) (17) having a thickness of 50 nm is deposited on an MgO(001) seed layer (15) at room temperature. In an ultrahigh vacuum (2×10-8 Pa) state, annealing is preformed at 350°C. An MgO(001) barrier layer (21) having a thickness of 2 nm is epitaxially deposited on the Fe(001) lower electrode (first electrode) (17) at room temperature by MgO electron beam vacuum deposition. An Fe(001) upper electrode (second electrode) (23) having a thickness of 10 nm is deposited on the MgO(001) barrier layer (21) at room temperature. Consecutively, a Co layer (21) having a thickness of 10 nm is deposited on the Fe(001) upper electrode (second electrode) (23). The Co layer (21) enhances the holding capability of the upper electrode (23) to realize an antiparallel magnetization arrangement. By microfabrication the above produced sample, Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) TMR element is fabricated. Thus, the output voltage value of an MRAM can be increased.
(FR)On prépare un seul crystal MgO(001) support(11). Un epitaxial Fe(001) électrode basse (première électrode) (17) ayant une épaisseur de 50 nm est déposé sur une couche de grain MgO(001) (15) à une température ambiante. Dans une position d’aspirateur ultra haut (2´10-8 Pa) l’hydratation se produit à 350°C. Une couche de protection MgO(001) (21)ayant une épaisseur de 2nm déposé de manière épitaxialle sur La couche protectrice MgO (001) à une température ambiante. Une électrode Fe (001) ayant une épaisseur de 10mn est déposé sur le Fe (001) l’électrode du haut (deuxième électrode) (23). Consécutivement, une couche Co (21) renforce la capacité de ténacité de l’électrode du haute (23) pour produire une disposition d’une magnétisation anti-parallèle. L’échantillon d’éléments Fe (001)/MgO(001)/Fe(001) TMR ci-dessus est produit par microfabrication. Ainsi la valeur du voltage d'un TMR émis peut être augmentée.
(JA) 単結晶MgO(001)基板11を準備し、50nm厚のエピタキシャルFe(001)下部電極(第1電極)17をMgO(001)シード層15上に室温で成長し、次いで、超高真空(2×10−8Pa)において、350℃でアニールを行う。2nm厚のMgO(001)バリア層21をFe(001)下部電極(第1電極)17上に室温でエピタキシャル成長する。この際、MgOの電子ビーム蒸着を用いた。MgO(001)バリア層21上に室温で、厚さ10nmのFe(001)上部電極(第2電極)23を形成した。連続して、10nm厚さのCo層21をFe(001)上部電極(第2電極)23上に堆積した。Co層21は、上部電極23の上部電極23の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してFe(001)/MgO(001)/Fe(001)TMR素子を形成する。これによりMRAMの出力電圧値を高めることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)