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1. (WO2005088739) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À COMPOSÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088739    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004894
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 14.03.2005
CIB :
H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Ryouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Ryouichi; (JP).
UDAGAWA, Takashi; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 2-3-1 Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-073059 15.03.2004 JP
60/555,417 23.03.2004 US
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À COMPOSÉ SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A compound semiconductor light-emitting diode comprising a light-emitting layer composed of a Group III-V compound semiconductor, and a current diffusion layer provided on the light-emitting layer and composed of a Group III-V compound semiconductor, characterized in that the current diffusion layer is composed of a conductive boron-phosphide-based semiconductor and has a bandgap at room temperature wider than that of the light-emitting layer.
(FR)Il est prévu une diode électroluminescente à composé semi-conducteur comprenant une couche électroluminescente formée d’un composé semi-conducteur de Groupe III-V, et une couche de diffusion de courant prévue sur la couche électroluminescente et formée d’un composé semi-conducteur de Groupe III-V, caractérisée en ce que la couche de diffusion de courant est composée d’un semi-conducteur à base de phosphure de bore conducteur et possède une bande interdite à la température ambiante plus large que celle de la couche électroluminescente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)