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1. (WO2005088731) CELLULE SOLAIRE A COUCHE MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088731    N° de la demande internationale :    PCT/SE2005/000321
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 03.03.2005
CIB :
H01L 31/0248 (2006.01), H01L 31/0272 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : SOLIBRO AB [SE/SE]; Ultuna, S-756 51 Uppsala (SE) (Tous Sauf US).
MALMSTRÖM, Jonas [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
STOLT, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : MALMSTRÖM, Jonas; (SE).
STOLT, Lars; (SE)
Mandataire : DR LUDWIG BRANN PATENTBYRÅ AB; Box 171 92, S-104 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0400631-8 11.03.2004 SE
Titre (EN) THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD
(FR) CELLULE SOLAIRE A COUCHE MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a thin film solar cell and a method of manufacturing such cells. In particular the invention relates to the use of a composite back contact (314) in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) based thin film solar cells with thin absorber layers. The composite back contact (314) is provided between the substrate (105) and the absorber (115) and comprises: a back reflector layer (311) that enhance the reflectance at the absorber/composite back contact interface; and at least a contact layer that contact layer (310, 313) that ensures suitable electrical properties of the back contact with respect to the absorber; and/or a conductance layer (312) that ensures low sheet resistance for the in-plane current flow.
(FR)La présente invention concerne une cellule solaire à couche mince ainsi qu'un procédé de fabrication de ces cellules. Plus particulièrement, l'invention concerne l'utilisation d'un contact repos composite (314) dans des cellules solaires à couche mince à base de Cu(In,Ga)Se2(CIGS) pourvues de fines couches d'absorption. Le contact repos composite (314) est disposé entre le substrat (105) l'absorbeur (115) et comprend une couche de rétroréflexion (311) favorisant la réflectance au niveau de l'interface absorbeur/contact repos composite, et au moins une couche de contact (310, 313) conférant des propriétés électriques appropriées au contact repos par rapport à l'absorbeur, et/ou une couche de conductance (312) conférant une faible résistance de couche pour le flux de courant dans le plan.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)