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1. (WO2005088729) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DIODE, ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088729    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/051117
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 11.03.2005
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STEPHANI, Dietrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MITLEHNER, Heinz; (DE).
STEPHANI, Dietrich; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 012 046.3 11.03.2004 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE DIODE, UND ZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT, ESPECIALLY A DIODE, AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DIODE, ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Dioden mit Avalanche-Verhalten sind bekannt. Gemäss der Erfin- dung sind insbesondere zur Realisierung einer pn-Diode in ei- ner dünnen Schicht unter der p-Anode (2) gebietsweise Berei- che (12ik, i=1-m, k=1-n) vorhanden, in denen die Konzentrati- 10 on der n-Dotierung über der Konzentration der n-Dotierung der epitaktischen Schicht (11) liegt. Zur Herstellung eines sol- chen Bauelementes werden Epitaxie- und/oder Implantationsme- thoden angewandt.
(EN)Diodes exhibiting an avalanche behaviour are known. According to the invention, in order to produce a pn diode, regions (12ik, i=1-m, k=1-n) are provided in some areas in a thin layer beneath the p-anode (2), in which the concentration of the n-doping is higher than the concentration of the n-doping of the epitaxial layer (11). Epitaxial and/or implantation methods are used to produce one such component.
(FR)Les diodes à comportement en avalanche sont connues. En vue de produire une diode pn, l'invention est caractérisée en ce que des régions (12ik, i=1-m, k=1-n) sont prévues dans certaines zones dans une couche mince au-dessous de l'anode p (2), dans lesquelles la concentration du dopage n est plus élevée que la concentration du dopage n de la couche épitaxiale (11). Des procédés d'épitaxie et/ou d'implantation sont utilisé pour la fabrication d'un tel composant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)