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1. (WO2005088728) DIODE PN A BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088728    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/051111
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 11.03.2005
CIB :
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
BARTSCH, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BARTSCH, Wolfgang; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 012 047.1 11.03.2004 DE
Titre (DE) PN-DIODE AUF DER BASIS VON SILICIUMCARBID UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) PN DIODE BASED ON SILICON CARBIDE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) DIODE PN A BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Bei einer pn-Diode auf SiC-Basis mit Avalanche-Verhalten, enthaltend eine Anode und eine Kathode und dazwischen liegenden n- und p-leitenden Schichten mit pn-Übergang, wird ein Zellenfeld (22) durch wenigstens eine muldenartige Ausprägung (22ik) realisiert. Vorzugsweise ergibt sich eine Struktur dicht angeordneter Zellen. Beim zugehörigen Herstellungsver- fahren erfolgen folgende Verfahrensschritte: Auf dem Wafer wird eine n-dotierte Schicht epitaktisch aufgewachsen, anschliessend erfolgt das Aufwachsen einer p-dotierten Schicht, wobei in einem Schritt eine Tiefätzung der Zellenfeldbereiche mit vorbestimmter Tiefe erfolgt.
(EN)The invention relates to a pn diode based on SiC and exhibiting an avalanche behaviour, said diode containing an anode and a cathode and interlying n-conductive and p-conductive layers with pn junctions. According to the invention, a cell field (22) is created on said diode by means of at least one cavity-like feature (22ik). Preferably, a structure of tightly arranged cells is created. The invention also relates to a corresponding production method whereby an n-doped layer is epitaxially grown on the wafer, followed by a p-doped layer, and the cell field regions are deep-etched to a pre-determined depth.
(FR)L'invention concerne une diode pn à base de SiC, à comportement en avalanche, comprenant une anode et une cathode et, entre elles, des couches n conductrices et p conductrices avec jonction pn. L'invention est caractérisée en ce qu'un champ cellules (22) est réalisé en formant au moins une structure du type à cavités (22ik). De préférence, on forme une structure à cellules disposées serrées entre elles. L'invention concerne également un procédé de fabrication correspondant, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : former, sur la plaquette, une croissance épitaxiale d'une couche dopée n, effectuer ensuite la croissance d'une couche dopée p, après quoi les régions à champ cellules sont gravées en creux à une profondeur prédéterminée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)