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1. (WO2005088726) OXYDE AMORPHE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088726    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003273
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 28.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.01.2006    
CIB :
G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi Saitama, 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
HOSONO, HIDEO [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO, MASAHIRO [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTA, HIROMICHI [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYA, TOSHIO [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOMURA, KENJI [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSONO, HIDEO; (JP).
HIRANO, MASAHIRO; (JP).
OTA, HIROMICHI; (JP).
KAMIYA, TOSHIO; (JP).
NOMURA, KENJI; (JP)
Mandataire : NISHI, Yoshiyuki; Nishi Patent Office, Suite 211 26-32, Nakahara 4-chome, Isogo-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2350036 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-071477 12.03.2004 JP
2004-325938 10.11.2004 JP
Titre (EN) AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) OXYDE AMORPHE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)An amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. More specifically, an amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 1018/cm3 and a thin film transistor using the amorphous oxide. The thin film transistor is provided with a source electrode (6), a drain electrode (5), a gate electrode (4), a gate insulating film (3) and a channel layer (2). As the channel layer (2), the amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 1018/cm3 is used.
(FR)Il est prévu un oxyde amorphe et un transistor à film mince utilisant l’oxyde amorphe. Plus spécifiquement, il est prévu un oxyde amorphe ayant une concentration de porteurs d’électrons inférieure à 1018/cm3 et un transistor à film mince utilisant l’oxyde amorphe. Le transistor à film mince est pourvu d’une électrode source (6), d’une électrode de drain (5), d’une électrode de grille (4), d’un film isolant à grille (3) et d’une couche de canal (2). Comme couche de canal (2), on utilise l’oxyde amorphe ayant une concentration de porteurs d’électrons inférieure à 1018/cm3.
(JA) 本発明は、アモルファス酸化物及びそれを用いた薄膜トランジスタに関する。具体的には、電子キャリア濃度が1018/cm未満のアモルファス酸化物、及びそれを用いた薄膜トランジスタを提供するものである。ソース電極6、ドレイン電極5、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、及びチャネル層2を有する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層2として電子キャリア濃度が1018/cm未満であるアモルファス酸化物を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)