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1. (WO2005088718) COMPOSANT A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE DIODE ZENER INTEGREE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088718    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/000499
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 19.01.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.10.2005    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (Tous Sauf US).
ENICHLMAIR, Hubert [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : ENICHLMAIR, Hubert; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102004011703.9 10.03.2004 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTER ZENER-DIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) SEMI-CONDUCTOR ELEMENT COMPRISING AN INTEGRATED ZENER DIODE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE DIODE ZENER INTEGREE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Zum Schutz eines Halbleiterbauelements vor Überspannungen wird vorgeschlagen, zur Herstellung von Bipolartransistoren und CMOS-Strukturen des Halbleiterbauelements verwendete Schritte zur integrierten parallelen Herstellung einer Zener-Diode zu verwenden. Diese weist eine erste und eine zweite n-dotierte Zone auf, sich zwischen der Oberfläche eines Halbleitersubstrats und einem n-dotierten vergrabenen Gebiet erstrecken. In einem der Oberfläche benachbarten Bereich ist die erste n-dotierte Zone mit einer p-Dotierung gegendotiert und stellt ein p-dotiertes Gebiet dar. Ein erster Kontakt ist zum p-dotierten Gebiet, ein Kontakt dagegen zum zweiten n-dotierten Zone ausgebildet, wobei die beiden Kontakte die bei-den Anschlüsse der Zener-Diode bilden.
(EN)The aim of the invention is to protect a semi-conductor component from pre-stress. As a result, bipolar transistors and CMOS structures of the semi-conductor element are used in steps for the integrated parallel production of a zener diode. Said diode comprises a first and a second n-doped area which extends between the surface of a semi-conductor substrate and an n-doped buried area. In an area adjacent to the surface, the first n-doped area is counter-doped with an p-doping and represents a p-doped area. A first contact is established on the p-doped area, a second contact is established on the n-doped area, whereby the two contacts form the two connections of the zener diode.
(FR)L'invention vise à protéger un composant à semiconducteurs contre des surtensions. A cet effet, on fait intervenir des étapes employées dans la fabrication de transistors bipolaires et de structures CMOS du composant à semiconducteurs dans la fabrication parallèle intégrée d'une diode Zener. Ladite diode présente une première et une deuxième zone dopée N s'étendant entre la surface d'un substrat à semiconducteurs et une zone dopée N enfouie. Dans une zone adjacente à la surface, la première zone dopée N est contre-dopée avec un dopage P et constitue une zone dopée P. Un premier contact est établi vers la zone dopée P et un deuxième contact est établi vers la zone dopée N, les deux contacts constituant les deux connexions de la diode Zener.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)