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1. (WO2005088716) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE LA COUCHE DE TRAVAIL D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088716    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/000832
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 10.03.2005
CIB :
H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
ALLIBERT, Frédéric [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BRUNIER, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : ALLIBERT, Frédéric; (FR).
BRUNIER, François; (FR)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cédex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0402473 10.03.2004 FR
Titre (EN) TREATMENT METHOD AND DEVICE OF THE WORKING LAYER OF A MULTILAYER STRUCTURE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE LA COUCHE DE TRAVAIL D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)According to a first embodiment, the invention relates to a method for treating an electrically conductive working layer of a multilayer structure made from semiconductor materials, the structure including under said working layer an electrically insulating layer, said treatment being destined to constitute in said working layer at least one island surrounded by material of the electrically insulating layer, method including a wet chemical etching step of the working layer, method characterised in that prior to the wet etching step selective masking is realised on several regions of said working layer in order to constitute in this working layer several islands, each region masked from the layer corresponding to a respective island. The invention also proposes the application of such a method to the characterisation of the electrical properties of a structure, and an associated device.
(FR)Selon un premier mode de réalisation, la présente invention a trait à un procédé pour le traitement d'une couche de travail conductrice d'électricité d'une structure multicouche réalisée à partir de matériaux semi-conducteurs, la structure comportant sous ladite couche de travail une couche d'isolation électrique, ledit traitement étant destiné à constituer dans ladite couche de travail au moins un îlot entouré par le matériau de la couche d'isolation électrique, le procédé comprenant une étape de gravure chimique par voie humide de la couche de travail. Le procédé est caractérisé en ce que préalablement à une étape de gravure chimique par voie humide de la couche de travail, on réalise une étape de masquage sélectif sur plusieurs zones de ladite couches de travail en vue de constituer dans cette couche de travail plusieurs îlots, chaque zone masquée de la couche correspondant à un îlot respectif. L'invention a également trait à l'application d'un tel procédé à la caractérisation de propriétés électriques d'une structure, et un dispositif associé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)