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1. (WO2005088705) CELLULE DE MEMOIRE EEPROM DESTINEE A DES TEMPERATURES ELEVEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088705    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/051099
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 10.03.2005
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, 99097 Erfurt (DE) (Tous Sauf US).
RICHTER, Steffen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RICHTER, Sonja [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NUERNBERGK, Dirk [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KIRSTEN, Dagmar [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RICHTER, Steffen; (DE).
RICHTER, Sonja; (DE).
NUERNBERGK, Dirk; (DE).
KIRSTEN, Dagmar; (DE)
Mandataire : LEONHARD, OLGEMOELLER, FRICKE; Postfach 10 09 62, 80083 Muenchen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 011 858.2 11.03.2004 DE
Titre (DE) EEPROM-SPEICHERZELLE FÜR HOHE TEMPERATUREN
(EN) EEPROM MEMORY CELL FOR HIGH TEMPERATURES
(FR) CELLULE DE MEMOIRE EEPROM DESTINEE A DES TEMPERATURES ELEVEES
Abrégé : front page image
(DE)Es wird eine EEPROM-Speicherzelle für den Einsatz bei hohen Temperaturen beschrieben, die mit der SOI-Technologie hergestellt ist. Konventioneller Weise besteht eine EEPROM-Zelle für hohe Temperaturen aus drei MOS-Transistoren. Die erfindungsgemäße EEPROM-Zelle ist aus einem Speichertransistor mit einem Floating-Gate und einem Hochvolttransistor mit frei belegbaren BodyAnschluss aufgebaut. Durch eine konstruktive Änderung im Aufbau des Hochvolttransistors kann ein dritter Transistor in der Speicherzelle vermieden werden, wodurch ihre Halbleiterscheibenfläche und damit Kosten eingespart werden.
(EN)The invention relates to an EEPROM memory cell for using at high temperatures, said memory cell being produced by SOI technology. An EEPROM cell for high temperatures consists of three MOS transistors. The inventive EEPROM cell is formed from a memory transistor comprising a floating gate and a high-voltage transistor provided with a body connection that can be freely occupied. A constructive change in the structure of the high-voltage transistor enables the use of a third transistor in the memory cell to be avoided, reducing the surface of the semiconductor wafer and thus also costs.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire EEPROM destinée à être employée à des températures élevées, fabriquée à l'aide de la technologie silicium sur oxyde. Habituellement, une cellule EEPROM destinée à des températures élevées est composées de trois transistors MOS. La cellule EEPROM selon l'invention est composée d'un transistor à mémoire comportant une grille flottante et d'un transistor haute tension comportant une connexion pouvant être occupée librement. Une modification de la construction dudit transistor haute tension permet d'éviter l'emploi d'un troisième transistor dans la cellule de mémoire, de telle manière qu'il est possible d'en réduire la surface de plaquette à semiconducteurs et les coûts.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)