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1. (WO2005088698) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A LIMITATION DE LIGNES DE GLISSEMENT POUR MICRO-ELECTRONIQUE, OPTOELECTRONIQUE, ET OPTIQUE, ET SUBSTRAT CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088698    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/000827
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 09.03.2005
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SOITEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
NEYRET, Eric [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NEYRET, Eric; (FR)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques,; Cabinet Regimbeau, 20, rue de chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0402475 10.03.2004 FR
Titre (EN) A METHOD OF FABRICATING A SLIP LINE LIMITED SUBSTRATE FOR MICROELECTRONICS, OPTOELECTRONICS, AND OPTICS, AND A CORRESPONDING SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A LIMITATION DE LIGNES DE GLISSEMENT POUR MICRO-ELECTRONIQUE, OPTOELECTRONIQUE, ET OPTIQUE, ET SUBSTRAT CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention concerns a method of fabricating a substrate by a layer transfer technique to produce resistance to slip line appearance phenomena. It advantageously proposes integrating part of a heat treatment for precipitating interstitial oxygen Oi present in the substrate support into one of the following operations of said method: detachment heat treatment; thermal oxidation by carrying out an oxidation/deoxidation process; finishing heat treatment to strengthen the bonding interface. The invention also provides a substrate comprising a thin semiconductor layer on a support layer produced from a semiconductor material containing a controlled quantity of oxygen precipitates selected as a function of the thermal conditions to which the substrate is intended To be exposed subsequently, so that said oxygen precipitates endow the support layer with the desired resistance to the generation of slip lines under those conditions.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un substrat par une technique de transfert de couches en vue de produire une résistance au phénomène d'apparition de lignes de glissement. De manière avantageuse, le procédé propose l'intégration d'une partie de traitement thermique pour la précipitation d'oxygène (Oi) présent dans le support de substrat dans une des opérations suivantes dudit procédé : un traitement thermique de séparation ; une oxydation thermique par la réalisation d'un traitement oxydation/désoxydation ; un traitement thermique de finition pour renforcer l'interface d'assemblage. L'invention a également trait à un substrat comportant une couche semi-conductrice mince sur une couche de support produite à partir d'un matériau semi-conducteur contenant une quantité contrôlée de précipités d'oxygène sélectionné en fonction des conditions thermiques auxquelles le substrat est destiné à être exposé ultérieurement de sorte que lesdits précipités d'oxygène procurent à la couche de support la résistance souhaitée à la génération de lignes de glissement dans ces conditions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)