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1. (WO2005088688) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088688    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004298
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 11.03.2005
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 3-14-20, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo 1648511 (JP) (Tous Sauf US).
MORIYA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOKUCHI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUNII, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORIYA, Atsushi; (JP).
INOKUCHI, Yasuhiro; (JP).
KUNII, Yasuo; (JP)
Mandataire : MIYAMOTO, Haruhiko; Urbane Sagami Bldg. 602, 19-13, Sagami-ono 3-chome, Sagamihara-shi, Kanagawa 2280803 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-069588 11.03.2004 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a hot-wall substrate processing apparatus for selectively growing an epitaxial film containing Si on the Si surface of a wafer (130), which comprises a process chamber (108) for housing the wafer (130), a heating member (101) arranged outside the process chamber (108) for heating the wafer (130), a raw material gas supply system (115) connected to the process chamber (108) and an exhaust system (116). Using this hot-wall substrate processing apparatus, a member having an exposed Si film is arranged opposite to a surface of the wafer (130) on which a film is to be grown, so that an epitaxial film containing Si is selectively grown on the wafer (130).
(FR)Il est prévu un appareil de traitement de substrat à paroi chaude pour cultiver sélectivement un film épitaxial contenant Si à la surface Si d’une pastille (130), comprenant une chambre de traitement (108) pour loger la pastille (130), un élément de chauffage (101) disposé à l’extérieur de la chambre de traitement (108) pour chauffer la pastille (130), un circuit d’arrivée de gaz brut (115) connecté à la chambre de traitement (108) et un circuit d’échappement (116). Grâce à cet appareil de traitement de substrat à paroi chaude, on dispose un élément ayant un film Si exposé en face d’une surface de la pastille (130) sur lequel on va cultiver un film, pour cultiver sélectivement un film épitaxial contenant Si sur la pastille (130).
(JA) ウエハ130を収容する処理室108と、処理室108の外部に配置され、ウエハ130を加熱する加熱部材101と、処理室108に連接された原料ガス供給系115と、排気系116とを有し、ウエハ130のSi表面にSiを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置を使用して、ウエハ130の選択成長させる面と対向して、Si膜が露出した部材を配置して、ウエハ130にSiを含むエピタキシャル膜を選択成長させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)