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1. (WO2005087986) SUBSTRAT RECOUVERT D'UN FILM ET PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM SUR UN SUBSTRAT

Pub. No.:    WO/2005/087986    International Application No.:    PCT/GB2005/000979
Publication Date: 22 sept. 2005 International Filing Date: 15 mars 2005
IPC: C30B 7/00
C30B 29/16
C30B 29/60
Applicants: HYDROGEN SOLAR LTD
VAYSSIERES, Lionel
GRAETZEL, Michael
Inventors: VAYSSIERES, Lionel
GRAETZEL, Michael
Title: SUBSTRAT RECOUVERT D'UN FILM ET PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM SUR UN SUBSTRAT
Abstract:
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un substrat (3) sur lequel s'est formé un film d'oxyde d'étain cristallin (IV), ce film comportant une pluralité de nanotiges contenant respectivement des cristaux formés le long de l'axe c du cristal d'oxyde d'étain (IV). L'invention concerne, selon un autre mode de réalisation, un procédé de formation d'un film d'oxyde d'étain (IV) cristallin sur un substrat. Ce film comporte une pluralité de nanotiges comportant respectivement des cristaux ayant crû le long de l'axe c du cristal d'oxyde d'étain (IV). Ce procédé comporte : un substrat (3) au moins partiellement immergé dans une solution aqueuse (1) de sel d'étain dans un bain acide d'une deuxième substance. La deuxième substance est choisie pour constituer une source à libération lente d'une substance basique, cette source à libération lente se décomposant et réagissant avec ce sel d'étain pour ainsi engendrer la croissance des cristaux d'oxyde d'étain le long de cet axe c de cristaux et ainsi former les nanotiges d'oxyde d'étain (IV) cristallin sur le substrat (3). Ce substrat trouve ses applications dans les photoélectrodes, les systèmes photoélectrochimiques et les détecteurs de gaz.