WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005087974) PRÉCURSEURS LIQUIDES POUR LE DÉPÔT CVD DE FILMS DE CARBONE AMORPHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/087974    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005855
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 24.02.2005
CIB :
C23C 16/505 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Ave, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
SEAMONS, Martin Jay [US/US]; (US) (US Seulement).
YEH, Wendy H. [US/US]; (US) (US Seulement).
RATHI, Sudha S.R. [US/US]; (US) (US Seulement).
PADHI, Deenesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
LUAN, Andy (Hsin Chiao) [--/US]; (US) (US Seulement).
TANG, Sum-Yee Betty [--/US]; (US) (US Seulement).
KULKARNI, Priya [IN/US]; (US) (US Seulement).
SIVARAMAKRISHNAN, Visweswaren [US/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Bok Hoen [KR/US]; (US) (US Seulement).
M'SAAD, Hichem [TN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Yuxiang May [CN/US]; (US) (US Seulement).
KWAN, Michael Chiu [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SEAMONS, Martin Jay; (US).
YEH, Wendy H.; (US).
RATHI, Sudha S.R.; (US).
PADHI, Deenesh; (US).
LUAN, Andy (Hsin Chiao); (US).
TANG, Sum-Yee Betty; (US).
KULKARNI, Priya; (US).
SIVARAMAKRISHNAN, Visweswaren; (US).
KIM, Bok Hoen; (US).
M'SAAD, Hichem; (US).
WANG, Yuxiang May; (US).
KWAN, Michael Chiu; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; MOSER, PATTERSON & SHERIDAN, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
60/550,386 05.03.2004 US
10/799,146 12.03.2004 US
60/565,639 26.04.2004 US
60/649,344 02.02.2005 US
Titre (EN) CVD PROCESSES FOR THE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON FILMS
(FR) PRÉCURSEURS LIQUIDES POUR LE DÉPÔT CVD DE FILMS DE CARBONE AMORPHE
Abrégé : front page image
(EN)Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.
(FR)La présente invention concerne des procédés de dépôt de matières à base de carbone. Selon un aspect, cette invention concerne un procédé de traitement d'un substrat qui consiste à positionner le substrat dans une chambre de traitement, à introduire un gaz de traitement dans la chambre de traitement, ledit gaz de traitement renfermant un gaz vecteur, de l'hydrogène et au moins un composé précurseur, à générer un plasma du gaz de traitement par application de puissance provenant d'une source RF double fréquence et à déposer une couche de carbone amorphe sur le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)