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1. (WO2005086962) SYSTEME ET PROCEDE DESTINES A FABRIQUER UNE FINE STRUCTURE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/086962    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/008237
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 11.03.2005
CIB :
C30B 1/00 (2006.01), C30B 3/00 (2006.01), C30B 5/00 (2006.01), C30B 28/02 (2006.01), C30B 29/54 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), B32B 9/04 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF VERMONT AND STATE AGRICULTURAL COLLEGE [US/US]; 85 South Prospect Street, Burlington, VT 05405 (US) (Tous Sauf US).
HEADRICK, Randall, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HEADRICK, Randall, L.; (US)
Mandataire : MEIER, Lawrence, H.; Downs Rachlin Martin PLLC, 199 Main Street, P.O. Box 190, Burlington, VT 05402-0190 (US)
Données relatives à la priorité :
60/552,135 11.03.2004 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING A CRYSTALLINE THIN STRUCTURE
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DESTINES A FABRIQUER UNE FINE STRUCTURE CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)A crystalline thin structure (104, 204, 404) is grown on a surface (108, 228) of a substrate (112, 208, 400) by depositing molecules (136, 220) from a molecular precursor to a lateral growth front (144, 224) of the structure using a crystal grower (116, 200). In one embodiment, the crystal grower comprises a solution (124) containing the molecular precursor in a solvent (140). Molecules are added to the lateral growth front by moving one or both of the free surface (120, 120') of the solution and deposition surface relative to the other at a predetermined rate. In another embodiment, the crystal grower comprises a mask (212) that includes at least one opening (216). Precursor molecules are vacuum deposited via a molecular beam (236) at the growth front (228) of the crystalline thin structure (204) as one or both of the opening and surface are moved relative to the other at a predetermined rate.
(FR)Selon l'invention, une fine structure cristalline (104, 204, 404) est formée sur une surface (108, 228) d'un substrat (112, 208, 400) par dépôt de molécules (136, 220) à partir d'un précurseur moléculaire sur un front de croissance latérale (144, 224) de la structure au moyen d'un dispositif de cristallogenèse (116, 200). Dans un mode de réalisation, le dispositif de cristallogenèse comprend une solution (124) contenant le précurseur moléculaire dans un solvant (140). Les molécules sont ajoutées au front de croissance latérale par déplacement de la surface libre (120, 120') de la solution et/ou de la surface de dépôt l'une par rapport à l'autre à une vitesse prédéterminée. Dans un autre mode de réalisation, le dispositif de cristallogenèse comprend un masque (212) possédant au moins une ouverture (216). Les molécules précurseurs sont déposées sous vide par l'intermédiaire d'un faisceau moléculaire (236) au niveau du front de croissance (228) de la fine structure cristalline (204), l'ouverture et/ou la surface étant déplacées l'une par rapport à l'autre à une vitesse prédéterminée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)