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1. (WO2005086880) DISPOSITIFS DE NANOLITHOGRAPHIE ET DE MICROLITHOGRAPHIE ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE CE TYPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/086880    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/007853
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 10.03.2005
CIB :
C25D 17/00 (2006.01), B29C 65/00 (2006.01), B23H 3/04 (2006.01)
Déposants : REVEO, INC. [US/US]; 3 Westchester Plaza, Elmsford, NY 10523 (US) (Tous Sauf US).
FARIS, Sadeg, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FARIS, Sadeg, M.; (US)
Mandataire : CRISPINO, Ralph, J.; Reveo, Inc., 3 Westchester Plaza, Elmsford, NY 10523 (US)
Données relatives à la priorité :
60/551,740 10.03.2004 US
Titre (EN) NANOLITHOGRAPHY AND MICROLITHOGRAPHY DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE NANOLITHOGRAPHIE ET DE MICROLITHOGRAPHIE ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE CE TYPE
Abrégé : front page image
(EN)A lithography device (200) includes one or more conductive strips (202, 204) monolithically embedded in an insulative structure (214). A method of manufacturing a lithography device includes monolithically forming a conductive strip though an insulative structure. Monolithically forming such a device includes forming the conductive strip on a mixed conductive-insulative layer, and embedding the conductive-insulative layer within the insulative structure. Such a device may be readily manufactured, is reliable, a is capable of various lithography applications and other applications requiring sub-micron and nano-scale electrode devices and electrode arrays.
(FR)Un dispositif de lithographie comporte une ou plusieurs bandes conductrices encastrées de manière monolithique dans une structure isolante. Un procédé de fabrication d'un dispositif de lithographie consiste à former de manière monolithique une bande conductrice à travers une structure isolante. La formation de manière monolithique d'un dispositif de ce type consiste à former la bande conductrice sur une couche mélangée conductrice-isolante, et à encastrer la couche conductrice-isolante dans la structure isolante. Un dispositif de ce type peut être fabriqué facilement, est fiable et peut servir dans différentes applications de lithographie et dans d'autres applications nécessitant des dispositifs électrodes et des ensembles électrodes à l'échelle submicrométrique et nanométrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)