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1. (WO2005086254) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI EST PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/086254    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004586
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 09.03.2005
CIB :
H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
MIURA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Tomonari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNISHI, Toshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUMOTO, Akane [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUZUKI, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYACHI, Makiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIURA, Daisuke; (JP).
NAKAYAMA, Tomonari; (JP).
OHNISHI, Toshinobu; (JP).
KUBOTA, Makoto; (JP).
MASUMOTO, Akane; (JP).
TSUZUKI, Hidetoshi; (JP).
MIYACHI, Makiko; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-067671 10.03.2004 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING LAMINATED MEMBER
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI EST PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a field effect transistor having an organic semiconductor layer, including: an organic semiconductor layer containing at least porphyrin; and a layer composed of at least a polysiloxane compound, the layer being laminated on the organic semiconductor layer so as to be in intimate contact with the organic semiconductor layer. As a result, there can be provided a field effect transistor which enables an organic semiconductor layer having high crystallinity and high orientation to be formed and which exhibits a high mobility.
(FR)Il est fourni un transistor à effet de champ comportant une couche de semiconducteur organique incluant : une couche de semiconducteur organique contenant au moins de la porphyrine et une couche composée au moins d'un composé de polysiloxane, la couche étant stratifiée sur la couche de semiconducteur organique de façon à être en contact rapproché avec la couche de semiconducteur organique. Il en résulte qu'il peut être fourni un transistor à effet de champ qui permet que soit formée une couche de semiconducteur organique présentant une caractéristique cristalline élevée et une orientation élevée et qui affiche une mobilité élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)