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1. (WO2005086253) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/086253    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004407
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 08.03.2005
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
MIURA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Tomonari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNISHI, Toshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUMOTO, Akane [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIYAMA, Satomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIURA, Daisuke; (JP).
NAKAYAMA, Tomonari; (JP).
OHNISHI, Toshinobu; (JP).
KUBOTA, Makoto; (JP).
MASUMOTO, Akane; (JP).
SUGIYAMA, Satomi; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3 Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-067440 10.03.2004 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An object of the present invention is to provide a field effect transistor showing high field-effect mobility and a high ON/OFF ratio, which can be produced simply by using a porphyrin compound with excellent crystallinity and orientation. The field effect transistor according to the present invention transistor contains at least an organic semiconductor layer, wherein the organic semiconductor layer contains at least a porphyrin compound and has a maximum diffraction intensity I1 in a Bragg angle (2 ) range of 9.9 to 10.4 stronger than a maximum diffraction intensity I2 in a Bragg angle (2 ) range of 23.0 to 26.0 in X-ray diffraction using CuK radiation.
(FR)Un but de la présente invention est de proposer un transistor à effet de champ présentant une forte mobilité de l’effet de champ et un rapport de résistance élevé, susceptible d’être fabriqué simplement à l’aide d’un composé de porphyrine offrant une cristallinité et une orientation excellentes. Le transistor à effet de champ selon la présente invention contient au moins une couche semiconductrice organique, la couche semiconductrice organique contenant au moins un composé de porphyrine et présentant une intensité de diffraction maximale I1 dans un intervalle d’angles de Bragg angle (2 ) compris entre 9,9 et 10,4 supérieure à une intensité de diffraction maximale I2 dans un intervalle d’angles de Bragg (2 ) compris entre 23,0 et 26,0 dans une diffraction des rayons X utilisant un rayonnement CuK.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)