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1. (WO2005086238) PROCEDE ET APPAREIL DE COMMANDE DE PROCESSUS EN LIGNE DU PROCESSUS CIGS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/086238    N° de la demande internationale :    PCT/SE2005/000333
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 04.03.2005
CIB :
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SOLIBRO AB [SE/SE]; Ultuna, S-756 51 Uppsala (SE) (Tous Sauf US).
STOLT, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
KESSLER, John [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : STOLT, Lars; (SE).
KESSLER, John; (FR)
Mandataire : DR LUDWIG BRANN PATENTBYRÅ AB; Box 171 92, S-104 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0400582-3 05.03.2004 SE
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR IN-LINE PROCESS CONTROL OF THE CIGS PROCESS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE COMMANDE DE PROCESSUS EN LIGNE DU PROCESSUS CIGS
Abrégé : front page image
(EN)An in-line production apparatus and a method for composition control of copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells fabricated by a co-evaporation deposition process is described. The deposition conditions are so that an deposited Cu-excessive overall composition is transformed into to a Cu-deficient overall composition, the final CIGS film. Substrates (21) with a molybdenum layer move through the CIGS process chamber (7) with constant speed. The transition from copper rich to copper deficient composition on a substrate is detected by using sensors which detect a physical parameter related to the transition, for example emission. In the alternative preferred embodiment of the invention sensors (20) are provided that detect the composition of elements in the deposited layer. A controller (17) connected to the sensors adjusts the fluxes from the evaporant sources (11, 12, 13) in order provide a CIGS layer with uniform composition and uniform thickness over the width of the substrate. The use of two rows of evaporant sources allows adjustment of the elemental composition and the thickness of the CIGS layer over the width of the substrate.
(FR)La présente invention concerne un appareil de production ligne et un procédé de commande de composition de cellules solaires de cuivre, d'indium, de gallium et de diséléniure (CIGS) fabriquée par un processus de dépôt et co-évaporation. Les conditions de dépôt sont telle qu'une composition globale de cuivre excessif déposé est transformée en une composition globale à déficit de cuivre, le film CIGS final. Des substrats (21) avec une couche de molybdéne se déplace dans la chambre de processus CIGS (7) à vitesse constante. La transition de la composition riche en cuivre à la composition pauvre en cuivre sur un substrat est détectée au moyen de capteurs qui détectent un paramètre physique associé à cette transition, par exemple l'émission. Dans autres modes de réalisation de l'invention, des capteurs (20) détectent la composition des éléments de la couche déposée. Un contrôleur (17) connecté aux capteurs règle les flux en provenance des sources d'évaporation (11, 12, 13) de façon à fournir une couche DIGS avec une composition uniforme et une épaisseur uniforme sur la largeur du substrat. L'utilisation de deux rangs de sources d'évaporation permet de régler la composition élémentaire et l'épaisseur de la couche CIGS sur la largeur du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)