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1. (WO2005085952) SUPPORT DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE CONÇU EN VERRE QUARTZ SYNTHÉTIQUE ET MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/085952    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/004262
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 04.03.2005
CIB :
C03B 20/00 (2006.01), C03C 3/06 (2006.01), G03F 1/54 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
KIKUGAWA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HINO, Keigo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MISHIRO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKUGAWA, Shinya; (JP).
HINO, Keigo; (JP).
MISHIRO, Hitoshi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg., 38, Kanda-Higashimatsushitacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-065646 09.03.2004 JP
Titre (EN) PHOTOMASK SUBSTRATE MADE OF SYNTHETIC QUARTZ GLASS AND PHOTOMASK
(FR) SUPPORT DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE CONÇU EN VERRE QUARTZ SYNTHÉTIQUE ET MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)It is to provide a photomask substrate which has a low birefringence and with which polarized illumination can be employed or immersion exposure can be carried out. A photomask substrate made of a synthetic quartz glass to be used for production of a semiconductor employing a light source having an exposure wavelength of at most about 200 nm, which has a birefringence of at most 1 nm/6.35 mm at the exposure wavelength, and of which the amount of decrease in light transmittance is at most 1.0% as a difference in light transmittance at a wavelength of 217 nm, between before and after irradiation with Xe excimer lamp with an illuminance of 13.2 mW/cm2 for 20 minutes.
(FR)On fournit un support de masque photographique qui possède une biréfringence basse et avec laquelle on peut utiliser une illumination polarisée ou effectuer une exposition d’immersion. Support de masque photographique conçu en verre quartz synthétique pour la production d’un semi-conducteur qui utilise une source de lumière dont la longueur d’onde d’exposition est de 200nm maximum, dont la biréfrigérence est de 1 nm/6.35 mm maximum à la longueur d’onde d’exposition, et dont le taux décroissant de transmission de lumière est de 1.0% maximum comme différence de transmission de lumière pour une longueur d’onde de 217nm, entre, avant et après l’irradiation avec une lampe excimère Xe d’un éclairement de 13.2 mW/cm2 pendant 20 minutes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)