WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005085494) COMPOSITIONS D'HALOGENURE D'HAFNIUM A FAIBLE CONCENTRATION EN ZIRCONIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/085494    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005948
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 28.02.2005
CIB :
C01G 27/04 (2006.01), C07F 7/28 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), C23C 16/06 (2006.01), C23C 16/08 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : PRAXAIR TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810-5113 (US) (Tous Sauf US).
MEIERE, Scott, Houston [US/US]; (US) (US Seulement).
NATWORA, James Philip Jr. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEIERE, Scott, Houston; (US).
NATWORA, James Philip Jr.; (US)
Mandataire : COON, Gerald, L.; Praxair, Inc., 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810-5113 (US)
Données relatives à la priorité :
60/548,167 01.03.2004 US
11/063,638 24.02.2005 US
Titre (EN) LOW ZIRCONIUM HAFNIUM HALIDE COMPOSITIONS
(FR) COMPOSITIONS D'HALOGENURE D'HAFNIUM A FAIBLE CONCENTRATION EN ZIRCONIUM
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to hafnium halide compositions having a zirconium concentration of less than about 1000 parts per million, a process for producing the hafnium halide compositions having a zirconium concentration of less than about 1000 parts per million, organometallic compound precursors, a process for producing the organometallic compound precursors, and a method for producing a film or coating from the organometallic compound precursors. The organometallic compounds are useful in semiconductor applications as chemical vapor or atomic layer deposition precursors for film depositions.
(FR)La présente invention concerne des compositions d'halogénure d'hafnium présentant une concentration en zirconium inférieure à environ 1000 parties par million, un procédé de production des compositions d'halogénure d'hafnium présentant une concentration en zirconium inférieure à environ 1000 parties par million, des précurseurs de composés organométalliques, un procédé de production des précurseurs de composés organométalliques, ainsi qu'un procédé de production d'un film ou revêtement à partir des précurseurs de composés organométalliques. Les composés organométalliques sont utiles dans des applications de semi-conducteurs en tant que précurseurs pour dépôt chimique en couches atomiques ou en phase vapeur pour des dépôts de films.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)