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1. (WO2005085491) DISPOSITIF ET PROCEDE D'IMPLANTATION IONIQUE D'UNE PIECE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/085491    N° de la demande internationale :    PCT/FR2005/000224
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 02.02.2005
CIB :
C23C 8/36 (2006.01), C23C 14/48 (2006.01)
Déposants : SOCIETE QUERTECH INGENIERIE (QI) [FR/FR]; Boulevard Henri Becquerel, F-14000 Caen (FR) (Tous Sauf US).
GUERNALEC, Frédéric [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BUSARDO, Denis [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GUERNALEC, Frédéric; (FR).
BUSARDO, Denis; (FR)
Mandataire : VERDIER, Louis; Cabinet @ Argos Innovation & Associés, 55, rue Aristide Briand, F-92309 Levallois Perret Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
0401047 04.02.2004 FR
0401749 21.02.2004 FR
0500963 31.01.2005 FR
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR NITRIDING BY IONIC IMPLANTATION OF AN ALUMINIUM ALLOY PART
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE D'IMPLANTATION IONIQUE D'UNE PIECE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a device for implanting ions in an aluminium alloy part (5), said device comprising an ion source (6) supplying ions accelerated by an extraction voltage, and first means for regulating (7-11) an initial beam (f1') of ions emitted by said source (6) to form an implantation beam (f1). Said source (6) is an electronic cyclotronic resonance source generating the initial beam (f1') of multi-energy ions which are implanted in the part (5) at a temperature below 120 °C. The implantation of said multi-energy ions of the implantation beam (f1) regulated by the regulating means (7-11) is simultaneously carried out at a depth controlled by the extraction voltage of the source.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'implantation d'ions dans une pièce en alliage d'aluminium (5) comportant une source d'ions (6) délivrant des ions accélérés par une tension d'extraction et des premiers moyens de réglage (7-11) d'un faisceau initial (f1') d'ions émis par ladite source (6) en un faisceau d'implantation (f1). Ladite source (6) est une source à résonance cyclotronique électronique produisant le faisceau initial (f1') d'ions multi-énergies qui sont implantés dans la pièce (5) à une température inférieure à 120 °C. L'implantation de ces ions multi-énergies du faisceau d'implantation (f1) réglé par l'intermédiaire des dits moyens de réglage (7-11) est effectuée simultanément à une profondeur contrôlée par la tension d'extraction de la source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)