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1. (WO2005085175) COMPOSÉ D’ALCOXYDE, MATIÈRE PREMIÈRE DESTINÉE À LA FORMATION D’UNE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/085175    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/002118
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 14.02.2005
CIB :
C07C 215/08 (2006.01), C07F 7/00 (2006.01), C07F 7/04 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1160012 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Hiroki; (JP).
SAKURAI, Atsushi; (JP)
Mandataire : HATORI, Osamu; Akasaka HKN BLDG. 6F, 8-6, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-041427 18.02.2004 JP
Titre (EN) ALKOXIDE COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ D’ALCOXYDE, MATIÈRE PREMIÈRE DESTINÉE À LA FORMATION D’UNE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE COUCHE MINCE
(JA) アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An alkoxide compound that is represented by the following general formula (I) and is suitable to a raw material for thin film formation for use in a process of thin film formation though compound evaporation, such as CVD process. Further, there is provided a raw material for thin film formation comprising the above alkoxide compound. Still further, there is provided a process for producing a thin film, comprising vaporizing the above raw material for thin film formation to thereby obtain a vapor containing the alkoxide compound, introducing the vapor onto a substratum, and performing decomposition and/or chemical reaction thereof to thereby form a thin film on the substratum. (I) (wherein one of R1 and R2 is a C1-C4 alkyl while the other is a hydrogen atom or C1-C4 alkyl; each of R3 and R4 is a C1-C4 alkyl; A is a C1-C8 alkanediyl; M is a silicon or hafnium atom; and n is 4).
(FR)Composé d’alcoxyde qui est représenté par la formule générale (I) suivante et est adapté à une matière première destinée à la formation d’une couche mince en vue de l’utilisation dans un procédé de formation d’une couche mince par l’intermédiaire de l’évaporation du composé, tel que le procédé CVD. De plus, il est fourni une matière première destinée à la formation d’une couche mince comprenant le composé d’alcoxyde précédent. De plus encore, il est fourni un procédé de production d’une couche mince, comprenant la vaporisation de la matière première précédente destinée à la formation d’une couche mince pour ainsi obtenir une vapeur contenant le composé d’alcoxyde, l’introduction de la vapeur sur un substrat, et la décomposition et/ou la réaction chimique de celle-ci pour former ainsi une couche mince sur le substrat. (I) (dans laquelle un groupe parmi R1 et R2 représente un groupe alkyle en C1 à C4 alors que l’autre groupe représente un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C1 à C4 ; chacun des groupes R3 et R4 représente un groupe alkyle en C1 à C4 ; A représente un groupe alcanediyle en C1 à C8 ; M représente un atome de silicium ou d’hafnium ; et n est égal à 4).
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)