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1. (WO2005084241) AMELIORATION DE L'ELIMINATION DE MATERIAU PARTICULAIRE CONTENANT DU SILICIUM AU MOYEN DE COMPOSITIONS A BASE DE FLUIDE SUPERCRITIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/084241    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/006228
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 25.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2006    
CIB :
B08B 3/12 (2006.01), B08B 3/00 (2006.01), C11D 3/44 (2006.01), C23G 1/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; Chappuis, Margaret, 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US) (Tous Sauf US).
KORZENSKI, Michael, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
BAUM, Thomas, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KORZENSKI, Michael, B.; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : FRUIERER, Tristan, Anne; Moore & Van Allen, PLLC, 430 Davis Drive, Suite 500, P.O. Box 13706, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
10/790,535 01.03.2004 US
Titre (EN) ENHANCEMENT OF SILICON-CONTAINING PARTICULATE MATERIAL REMOVAL USING SUPERCRITICAL FLUID-BASED COMPOSITIONS
(FR) AMELIORATION DE L'ELIMINATION DE MATERIAU PARTICULAIRE CONTENANT DU SILICIUM AU MOYEN DE COMPOSITIONS A BASE DE FLUIDE SUPERCRITIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and composition for removing silicon-containing particulate material, such as silicon nitrides and silicon oxides, from patterned Si/Si02 semiconductor wafer surfaces is described. The composition includes a supercritical fluid (SCF), an etchant species, a co-solvent, a surface passivator, a binder, deionized water, and optionally a surfactant. The SCF-based compositions substantially remove the contaminating particulate material from the wafer surface prior to subsequent processing, thus improving the morphology, performance, reliability and yield of the semiconductor device.
(FR)Cette invention concerne un procédé et une composition permettant d'éliminer un matériau particulaire contenant du silicium, tel que des nitrures de silicium et des oxydes de silicium, à partir de surfaces de tranches de semi-conducteurs Si/SiO2 structurées. Cette composition renferme un fluide supercritique (SCF), une espèce d'agent de gravure, un cosolvant, un passivateur de surface, un liant, de l'eau désionisée et éventuellement un tensioactif. Les compositions à base de fluide supercritique élimine substantiellement le matériau particulaire contaminant de la surface de la tranche avant tout autre traitement ultérieur, ce qui améliore la morphologie, les performances, la fiabilité et le rendement du dispositif à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)