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1. (WO2005084221) STRUCTURE DE CONTACT AUTO-ALIGNEE POUR DISPOSITIF A TRANCHEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/084221    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/006046
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 28.02.2005
CIB :
H01L 29/94 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
JONES, David P. [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : JONES, David P.; (GB)
Mandataire : WEINER, Samuel H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/549,267 01.03.2004 US
Titre (EN) SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURE FOR TRENCH DEVICE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT AUTO-ALIGNEE POUR DISPOSITIF A TRANCHEES
Abrégé : front page image
(EN)Through the openings of the mask, trenches with gates (242) are then formed in a semiconductor body Thereafter, insulation plugs (248) are formed atop the gates (242) and into the openings of the mask layer The mask layer is then removed, leaving the insulation plugs (248) extending above the semiconductor surface Source implant regions (260) are then formed between the trenches Thereafter, spacers (256) are formed along the sides of the insulation plugs (248), covering portions of the source implant regions (260) adjacent the trenches Using these spacers (256) as masks, the exposed portions of the source implant regions (260) are then etched and removed The remaining source implant regions (260) under the spacers (256) are then driven to form source regions (260) Thereafter, shallow high conductivity contact regions (264) are formed in the etched regions Source and drain contacts are then formed over the device
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur d'alimentation du type à tranchées, qui consiste à former une couche masque avec des ouvertures sur une surface de semi-conducteur. A travers les ouvertures du masque, on forme ensuite des tranchées avec des portillons dans le corps du semi-conducteur. Des bouchons isolants sont alors formés sur les portillons et dans les ouvertures de la couche masque. La couche masque est ensuite retirée, ce qui laisse les bouchons isolants s'étendant sur la surface du semi-conducteur. Des régions d'implant sources sont ensuite formées entre les tranchées. Puis, des éléments d'espacement sont formés le long des côtés des bouchons isolants, recouvrant des parties des régions d'implant sources adjacentes aux tranchées. En utilisant ces éléments d'espacement comme masques, on procède ensuite à l'attaque et au retrait des parties exposées des régions d'implants sources. Les régions d'implant sources restantes sous les éléments d'espacement sont ensuite excitées pour former des régions sources. Puis, des régions de contact de conductivité élevée peu profondes sont formées dans les régions ainsi attaquées. Des contacts de source et de drain sont ainsi formés sur le dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)