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1. (WO2005084183) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS D'INTERCONNEXION ELECTRONIQUE UTILISANT L'IMAGERIE DIRECTE D'UNE MATIERE DIELECTRIQUE COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/084183    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/004748
Date de publication : 15.09.2005 Date de dépôt international : 17.02.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.09.2004    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01)
Déposants : MacDERMID, INCORPORATED [US/US]; 245 Freight Street, Waterbury, CT 06702 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : CULLEN, Donald, P.; (US)
Mandataire : CORDANI, John, L.; Carmody & Torrance LLP, 50 Leavenworth Street, P.O. Box 1110, Waterbury, CT 06721-1110 (US)
Données relatives à la priorité :
10/372,747 24.02.2003 US
Titre (EN) ELECTRONIC INTERCONNECT DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS D'INTERCONNEXION ELECTRONIQUE UTILISANT L'IMAGERIE DIRECTE D'UNE MATIERE DIELECTRIQUE COMPOSITE
Abrégé : front page image
(EN)An improved method of fabricating an electronic interconnect device using direct imaging of dielectric composite material by the inclusion of a conducting material in the composite material that becomes non-conducting through exposure to electromagnetic radiation. The conducting material generally comprises single-wall carbon nanotubes.
(FR)L'invention concerne un procédé amélioré de fabrication d'un dispositif d'interconnexion électronique utilisant l'imagerie directe d'une matière composite diélectrique. Le procédé comprend l'inclusion d'une matière conductrice dans la matière composite, qui devient non conductrice après avoir été exposée à un rayonnement électromagnétique. La matière conductrice comprend généralement des nanotubes de carbone à paroi unique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)