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1. (WO2005083808) DISPOSITIF DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT UTILISANT CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083808    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/019532
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 27.12.2004
CIB :
H01L 35/34 (2006.01), H01L 37/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YOTSUHASHI, Satoshi; (US Seulement).
KANNO, Tsutomu; (US Seulement).
ADACHI, Hideaki; (US Seulement).
ODAGAWA, Akihiro; (US Seulement).
SUGITA, Yasunari; (US Seulement)
Inventeurs : YOTSUHASHI, Satoshi; .
KANNO, Tsutomu; .
ADACHI, Hideaki; .
ODAGAWA, Akihiro; .
SUGITA, Yasunari;
Mandataire : KAMADA, Koichi; 7th Fl., TOMOE MARION BLDG., 4-3-1, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-055952 01.03.2004 JP
2004-164200 02.06.2004 JP
Titre (EN) THERMOELECTRIC CONVERSION DEVICE, COOLING METHOD USING SAME, AND POWER GENERATING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT UTILISANT CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE PUISSANCE
(JA) 熱電変換デバイス、およびこれを用いた冷却方法および発電方法
Abrégé : front page image
(EN)A thermoelectric conversion device having a high thermoelectric conversion performance. In the thermoelectric conversion device, electrodes are arranged unlike the arrangements steered by conventional technical knowledge so that current flows in the interlayer direction of a laminar material. A thermoelectric conversion film is epitaxially formed. An electrically conductive layer and an electric insulating layer are alternated. Each electrically conductive layer has an octahedron crystal structure in which a transition metal atom M is positioned at the center and oxygen atoms are positioned at the vertices. The electric insulating layer is made of a metal element or crystalline metal oxide. The c-axis of the laminar material of the electrically conductive layer and electric insulating layer is parallel to the in-plane direction of the base, and the pair of electrodes are arranged so that current flows along the c-axis.
(FR)Un dispositif de conversion thermoélectrique ayant une performance de conversion thermoélectrique élevée. Dans le dispositif de conversion thermoélectrique, des électrodes sont disposées de manière différente que pour les techniques classiques, de sorte que le courant circule dans la direction intercouche d’un matériau laminaire. Une pellicule de conversion thermoélectrique est formée de manière epitaxiale. Une couche conductrice du point de vue électrique est alternée avec une couche isolante électrique. Chaque couche conductrice du point de vue électrique a une structure de cristaux octaèdres dans laquelle un atome de métal de transition M est placé en son centre et des atomes d’oxygène sont placés aux sommets. La couche isolante électrique est formée d’un élément métallique ou d'oxyde métallique cristallin. L’axe c du matériau laminaire de la couche conductrice du point de vue électrique et de la couche isolante électrique est parallèle à la direction dans le plan de la base, et la paire d’électrodes est disposée de sorte que le courant circule le long de l’axe c.
(JA) 本発明は、高い熱電変換性能を有する熱電変換デバイスを提供する。このデバイスでは、従来の技術常識から導かれる配置とは異なり、層状物質の層間方向に沿って電流が流れるように電極が配置される。本発明による熱電変換デバイスでは、熱電変換膜が、エピタキシャル成長により得られた膜であって、かつ電気伝導層と電気絶縁層とが交互に配置されてなり、電気伝導層は、遷移金属原子Mが中心に位置すると共に酸素原子が頂点に位置する八面体結晶構造を有し、電気絶縁層は、金属元素または結晶性金属酸化物からなる。そして、電気伝導層および電気絶縁層からなる層状物質についてのc軸は基体の面内方向と平行であって、一対の電極はc軸に沿って電流が流れるように配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)