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1. (WO2005083787) RESEAU DE CONDENSATEURS A CIRCUIT INTEGRE CONFIGURABLE A COUCHES DE TROUS D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083787    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005836
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 24.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.12.2005    
CIB :
H01G 4/30 (2006.01), H01G 4/38 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : TRIAD SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 101 North Chestnut Street, Suite 101, Winston-Salem, North Carolina 27101 (US) (Tous Sauf US).
VIASIC, INC. [US/US]; 2635 Meridian Parkway, Suite 148, Durham, North Carolina 27713 (US) (Tous Sauf US).
IHME, David [US/US]; (US) (US Seulement).
KEMERLING, James, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
COX, William, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : IHME, David; (US).
KEMERLING, James, C.; (US).
COX, William, D.; (US)
Mandataire : EVANS, Charles. L.; Moore And Van Allen PLLC, 430 Davis Drive, Suite 500, Morrisville, NC 27560 (US)
Données relatives à la priorité :
60/548,000 26.02.2004 US
10/906,527 23.02.2005 US
Titre (EN) CONFIGURABLE INTEGRATED CIRCUIT CAPACITOR ARRAY WITH VIA LAYERS
(FR) RESEAU DE CONDENSATEURS A CIRCUIT INTEGRE CONFIGURABLE A COUCHES DE TROUS D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having a plurality of layers and a capacitor array that includes a plurality of individual capacitors. At least one of the plurality of layers in the semiconductor device may be a via layer configured to determine the connections and capacitances of the plurality of individual capacitors in the capacitor array. The semiconductor device may include a metal structure disposed within the device to provide an electromagnetic shield for at least one of the plurality of individual capacitors in the capacitor array.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteurs comportant une pluralité de couches et un réseau de condensateurs comprenant une pluralité de condensateurs individuels. Au moins une de la pluralité de couches dans le dispositif à semi-conducteurs peut être une couche de trous d'interconnexion agencée pour la détermination des connexions et des capacités de la pluralité de condensateurs individuels dans le réseau de condensateurs. Le dispositif à semi-conducteurs peut comporter une structure métallique disposée au sein du dispositif pour fournir un blindage électromagnétique pour au moins une de la pluralité de condensateurs individuels dans le réseau de condensateurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)