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1. (WO2005083779) PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE FINE ENDUITE AU DOS ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083779    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/000300
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 22.02.2005
CIB :
H01L 21/78 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
BAUER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRÖNINGER, Horst [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JEREBIC, Simon [SI/DE]; (DE) (US Seulement).
VILSMEIER, Hermann [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BAUER, Michael; (DE).
GRÖNINGER, Horst; (DE).
JEREBIC, Simon; (DE).
VILSMEIER, Hermann; (DE)
Mandataire : SCHÄFER, Horst; Kanzlei Schweiger & Partner, Karl-Theodor-Str. 69, 80803 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 009 742.9 25.02.2004 DE
Titre (DE) RÜCKSEITENBESCHICHTETER, DÜNNER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) REAR-COATED THIN SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE FINE ENDUITE AU DOS ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter, dünner Halbleiterchips offenbart, gemäß welchem auf die Rückseite (6) eines Wafers (1) eine zusammenhängende Rückseitenbeschichtung (7) aufgebracht wird und diese dann entsprechend der zu singulierenden Halbleiterchips (4) vor dem Weiterverarbeiten des Wafers (1) durchtrennt wird.
(EN)Disclosed is a method for producing rear-coated thin semiconductor chips. According to said method, a continuous rear coating (7) is applied to the rear face (6) of a wafer (1), and said continuous rear coating (7) is then cut according to the semiconductor chips (4) that are to be singulated before the wafer (1) is further processed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour réaliser des plaquettes semi-conductrices fines enduites au dos, selon lequel un revêtement (7) continu est appliqué au dos (6) d'une tranche de silicium (1), ce revêtement étant ensuite séparé en fonction des plaquettes semi-conductrices (4) à isoler, avant le traitement ultérieur de la tranche de silicium (1).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)