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1. (WO2005083777) PROCEDES ET APPAREILS FAVORISANT L'ADHERENCE D'UN FILM A BARRIERE DIELECTRIQUE SUR DU CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083777    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/003632
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 03.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2005    
CIB :
C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
RAJAGOPALAN, Nagarajan [IN/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Bok, Heon [KR/US]; (US) (US Seulement).
D'CRUZ, Lester, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
CUI, Zhenjiang [CN/US]; (US) (US Seulement).
DIXIT, Girish, A. [IN/US]; (US) (US Seulement).
SIVARAMAKRISHNAN, Visweswaren [IN/US]; (US) (US Seulement).
M'SAAD, Hichem [US/US]; (US) (US Seulement).
SHEK, Meiyee [US/US]; (US) (US Seulement).
XIA, Li-Qun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAJAGOPALAN, Nagarajan; (US).
KIM, Bok, Heon; (US).
D'CRUZ, Lester, A.; (US).
CUI, Zhenjiang; (US).
DIXIT, Girish, A.; (US).
SIVARAMAKRISHNAN, Visweswaren; (US).
M'SAAD, Hichem; (US).
SHEK, Meiyee; (US).
XIA, Li-Qun; (US)
Mandataire : TOBIN, Kent, J.; Townsend And Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
10/783,316 20.02.2004 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUSES PROMOTING ADHESION OF DIELECTRIC BARRIER FILM TO COPPER
(FR) PROCEDES ET APPAREILS FAVORISANT L'ADHERENCE D'UN FILM A BARRIERE DIELECTRIQUE SUR DU CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)Adhesion between a copper metallization layer and a dielectric barrier film may be promoted by stabilizing a flow of a silicon-containing precursor in a divert line leading to the chamber exhaust. The stabilized gas flow is then introduced to the processing chamber to precisely form a silicide layer over the copper. This silicidation step creates a network of strong Cu-Si bonds that prevent delamination of the barrier layer, while not substantially altering the sheet resistance and other electrical properties of the resulting metallization structure.
(FR)Selon l'invention, l'adhérence entre une couche de métallisation en cuivre et un film à barrière électrique peut être produit par stabilisation du flux d'un précurseur contenant du silicium dans une ligne de déviation conduisant à une chambre d'évacuation. Le flux de gaz stabilisé est ensuite introduit vers la chambre de traitement de manière à former précisément une couche de siliciure sur le cuivre. L'étape de création du siliciure crée un réseau de liaisons Cu-Si fortes qui empêchent le délaminage de la couche de barrière, la résistance de couche et toute autre propriété électrique de la structure de métallisation ainsi obtenue n'étant pas modifiées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)