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1. (WO2005083776) PUCES A CIRCUITS INTEGRES METTANT EN OEUVRE DES TROUS D'INTERCONNEXION COMPOSITES EN NANOTUBES DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083776    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/050764
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 23.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.12.2005    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41 North Harbour, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
FURUKAWA, Toshiharu [JP/US]; (US) (US Seulement).
HAKEY, Mark, Charles [US/US]; (US) (US Seulement).
HORAK, David, Vaclav [US/US]; (US) (US Seulement).
KOBURGER III, Charles, William [US/US]; (US) (US Seulement).
MASTERS, Mark, Eliot [US/US]; (US) (US Seulement).
MITCHELL, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
POLONSKY, Stanislav [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Toshiharu; (US).
HAKEY, Mark, Charles; (US).
HORAK, David, Vaclav; (US).
KOBURGER III, Charles, William; (US).
MASTERS, Mark, Eliot; (US).
MITCHELL, Peter; (US).
POLONSKY, Stanislav; (US)
Mandataire : WALDNER, Philip; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
10/787,640 26.02.2004 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT CHIPS UTILIZING CARBON NANOTUBE COMPOSITE INTERCONNECTION VIAS
(FR) PUCES A CIRCUITS INTEGRES METTANT EN OEUVRE DES TROUS D'INTERCONNEXION COMPOSITES EN NANOTUBES DE CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)Conductive paths in an integrated circuit are formed using multiple undifferentiated carbon nanotubes embedded in a conductive metal, which is preferably copper. Preferably, conductive paths include vias running between conductive layers. Preferably, composite vias are formed by forming a metal catalyst pad on a conductor at the via site, depositing and etching a dielectric layer to form a cavity, growing substantially parallel carbon nanotubes on the catalyst in the cavity, and filling the remaining voids in the cavity with copper. The next conductive layer is then formed over the via hole.
(FR)L'invention concerne la formation de chemins conducteurs dans un circuit intégré au moyen de plusieurs nanotubes de carbone non différenciés et incorporés dans un métal conducteur, de préférence, du cuivre. Les chemins conducteurs comprennent, de préférence, des trous de raccordement passant entre des couches conductrices. Les trous de raccordement composites sont formés, de préférence, par formation d'un tampon catalyseur métallique sur un conducteur au niveau du site des trous, par dépôt et gravure d'une couche diélectrique de manière à former une cavité, par croissance de nanotubes de carbone sensiblement parallèles sur le catalyseur dans la cavité et par remplissage des vides restant dans la cavité au moyen de cuivre. La couche conductrice suivante est ensuite formée sur le trou de raccordement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)