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1. (WO2005083775) FORMATION D'UNE STRUCTURE COMPOSITE SOI (SILICIUM SUR ISOLANT)/SON (SILICIUM SUR RIEN) PRESENTANT DES MOTIFS PAR UNE TECHNIQUE D'ELABORATION DE SI POREUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083775    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/004888
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 19.02.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.12.2005    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
BENDERNAGEL, Robert, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHOE, Kwang, Su [KR/US]; (US) (US Seulement).
DAVARI, Bijan [US/US]; (US) (US Seulement).
FOGEL, Keith, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
SADANA, Deyendra, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAHIDI, Ghavam, G. [IR/US]; (US) (US Seulement).
TIWARY, Sandip [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BENDERNAGEL, Robert, E.; (US).
CHOE, Kwang, Su; (US).
DAVARI, Bijan; (US).
FOGEL, Keith, E.; (US).
SADANA, Deyendra, K.; (US).
SHAHIDI, Ghavam, G.; (US).
TIWARY, Sandip; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FORMATION OF PATTERNED SILICON-ON-INSULATOR (SOI)/SILICON-ON-NOTHING (SON) COMPOSITE STRUCTURE BY POROUS Si ENGINEERING
(FR) FORMATION D'UNE STRUCTURE COMPOSITE SOI (SILICIUM SUR ISOLANT)/SON (SILICIUM SUR RIEN) PRESENTANT DES MOTIFS PAR UNE TECHNIQUE D'ELABORATION DE SI POREUX
Abrégé : front page image
(EN)A patterned SOI/SON composite structure and methods of forming the same are provided. In the SOI/SON composite structure, the patterned SOI/SON structures are sandwiched between a Si over-layer and a semiconductor substrate. The method of forming the patterned SOI/SON composite structure includes shared processing steps wherein the SOI and SON structures are formed together. The present invention also provides a method of forming a composite structure which includes buried conductive/SON structures as well as a method of forming a composite structure including only buried void planes.
(FR)L'invention concerne une structure composite SOI/SON formant un motif, et des procédés permettant de former cette structure. Dans cette structure composite SOI/SON, les structures SOI/SON formant les motifs sont intercalées entre une couche recouvrante Si et un substrat semi-conducteur. Le procédé permettant de former la structure composite SOI/SON à motifs comprend des étapes de traitement communes au cours desquelles les structures SOI et SON sont formées ensemble. L'invention concerne également un procédé permettant de former une structure composite comprenant des structures conductrices/SON enterrées, ainsi qu'un procédé permettant former une structure composite comprenant uniquement des plans vides enterrés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)