WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005083774) PROCEDE DE FABRICATION D'UN PETIT SUBSTRAT COMPATIBLE AVEC UN EQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS DE PLUS GRANDE TAILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083774    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/050436
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 02.02.2005
CIB :
H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
KLOOTWIJK, Johan, H. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
TIMMERING, Cornelis, E. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SNIJDER, Jacob [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DEKKER, Ronald [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MICHIELSEN, Theodorus, M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : KLOOTWIJK, Johan, H.; (NL).
TIMMERING, Cornelis, E.; (NL).
SNIJDER, Jacob; (NL).
DEKKER, Ronald; (NL).
MICHIELSEN, Theodorus, M.; (NL)
Mandataire : ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
04100661.0 19.02.2004 EP
Titre (EN) METHOD OF MAKING A SMALL SUBSTRATE COMPATIBLE FOR PROCESSING
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN PETIT SUBSTRAT COMPATIBLE AVEC UN EQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS DE PLUS GRANDE TAILLE
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a comparatively small substrate (12) compatible with manufacturing equipment for a larger-size standard substrate is disclosed. The standard substrate (1) has a surface (10) in which a depression (8) is formed, in which depression the small substrate is connected by means of a layer of a bonding material (13). The depression is formed so as to have a flat bottom (9) extending parallel to the surface. The depression has a depth such that, after the small substrate has been connected with its rear side to the bottom of the depression of the standard substrate by means of the layer of bonding material, the front side (14) of the small substrate forms a free surface which practically coincides with the surface (10) of the carrier wafer. When the standard substrate with the small substrate positioned in the depression is placed into a lithographic stepper, the free surface of the small substrate is placed automatically in a position such that patterns having very small dimensions can be projected onto a photoresist layer formed on said free surface.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comparativement petit (12), compatible avec un équipement de fabrication de substrats standard de plus grande taille. Le substrat standard (1) comprend une surface (10) dans laquelle est formé un renfoncement (8), le petit substrat étant fixé dans ledit renfoncement au moyen d'un matériau de liaison (13). Le renfoncement est formé de sorte à présenter un fond plat (9) s'étendant parallèle à la surface. Ce renfoncement présente une profondeur telle que, une fois que le petit substrat a été fixé par son côté arrière sur le fond du renfoncement du substrat standard au moyen de la couche de matériau de liaison, le côté avant (14) du petit substrat forme une surface libre coïncidant pratiquement avec la surface de la plaquette support. Lorsque le substrat standard pourvu du petit substrat placé dans le renfoncement est disposé dans un dispositif lithographique pas-à-pas, la surface libre du petit substrat est placée automatiquement dans une position telle que les motifs présentant de très petites dimensions peuvent être projetés sur une couche de photorésine formée sur ladite surface libre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)