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1. (WO2005083770) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083770    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/000574
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 02.03.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : RHEE, TAE-POK [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : RHEE, TAE-POK; (KR)
Mandataire : KIM, Sun-young; Korea Coal Center, 10th Floor, 80-6, Susong-Dong, Chongro-Ku, Seoul, 110-727 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0014036 02.03.2004 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a semiconductor device of high breakdown voltage and a method manufacturing the same. According to the invention, it is possible to previously prevent an increase size of the device due to a separation of a high concentration impurity layer and a gate electrode pattern by embedding the gate electrode pattern in a bottom of a semiconductor substrate, and sequentially stacking a low concentration impurity layer and a high concentration impurity layer for source/drain diffusion layers on both sides of the gate electrode pattern, thereby allowing the high concentration impurity layer to easily secure a voltage drop areas necessary for itself without being spaced from the gate electrode pattern.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur à tension de claquage élevé et à un procédé de fabrication de ce dispositif. Conformément à l'invention, il est possible d'empêcher à l'avance un accroissement de taille du dispositif du à une séparation d'une couche d'impuretés à haute concentration et d'un motif d'électrode de grille en noyant le motif d'électrode de grille dans une partie inférieure d'un substrat semi-conducteur, et en empilant séquentiellement une couche d'impuretés à faible concentration et une couche d'impuretés à haute concentration pour produire des couches de diffusion source/drain sur les deux côtés du motif d'électrode de grille, ceci permettant à la couche d'impuretés à haute concentration de disposer aisément d'une zone de chute de tension qui lui est nécessaire sans être espacée du motif d'électrode de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)